MOS管的導通與截止由柵源電壓來(lái)控制,對于增強型MOS管來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向...MOS管的導通與截止由柵源電壓來(lái)控制,對于增強型MOS管來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向電壓即導通,P溝道的管子則加反向電壓。
KIA4610A是高密度N溝道MOS管,具有優(yōu)良的RDSON和柵極特性,為大多數同步降壓變...KIA4610A是高密度N溝道MOS管,具有優(yōu)良的RDSON和柵極特性,為大多數同步降壓變換器應用充電。KIA4610A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET,可提供出色的RDSON;大多數同步buck變...KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET,可提供出色的RDSON;大多數同步buck變換器應用的門(mén)極電荷。KIA6706A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
低功耗按照類(lèi)型分類(lèi),其構成主要有動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1)...低功耗按照類(lèi)型分類(lèi),其構成主要有動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、浪涌功耗這三種。 1)動(dòng)態(tài)功耗 動(dòng)態(tài)功耗包括:開(kāi)關(guān)功耗或者稱(chēng)為翻轉功耗、短路功耗或者稱(chēng)為內部功耗。
下圖是NMOS做電平轉換的典型電路,要點(diǎn)是信號從低往高轉低,從S極到D極。 邏輯...下圖是NMOS做電平轉換的典型電路,要點(diǎn)是信號從低往高轉低,從S極到D極。 邏輯如下: A=1.8V,NMOS截止,B=3.3V; A=0V,NMOS導通,B=0V;
PMOS做信號開(kāi)關(guān) 下圖是一個(gè)典型的PMOS信號開(kāi)關(guān)應用,注意必須是從S極向D極傳送...PMOS做信號開(kāi)關(guān) 下圖是一個(gè)典型的PMOS信號開(kāi)關(guān)應用,注意必須是從S極向D極傳送信號,并且D極沒(méi)有上拉電阻,有一個(gè)大的下拉電阻。