NMOS管 18A60V KIA6706A參數(shù)資料 原廠現(xiàn)貨直銷-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-04-20
KIA6706A是高單元密度溝槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多數(shù)同步buck變換器應用的門極電荷。KIA6706A符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求。
RDS(on)=7.5mΩ(typ)@VGS=10V
超低門電荷
綠色設備可用
Cdv/dt效應下降
先進的高密度溝槽技術
產(chǎn)品型號：KIA6706A
工作方式：18A/60V
漏源電壓：60V
柵源電壓：±20A
漏電流連續(xù)：18A
脈沖漏極電流：75A
雪崩電流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
熱電阻：45℃/V
漏源擊穿電壓：60V
柵極閾值電壓：1.2V
輸入電容：3307PF
輸出電容：201PF
上升時間：41.2ns
封裝形式：SOP-8
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