MOS管柵極驅動(dòng)電阻:MOS管的驅動(dòng)對其工作效果起著(zhù)決定性的作用。設計師既要考慮...MOS管柵極驅動(dòng)電阻:MOS管的驅動(dòng)對其工作效果起著(zhù)決定性的作用。設計師既要考慮減少開(kāi)關(guān)損耗,又要求驅動(dòng)波形較好即振蕩小、過(guò)沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛...
MOS管保護電路|MOSFET柵源保護知識分享-KIA MOS管,MOSFET柵源保護:功率MOS管...MOS管保護電路|MOSFET柵源保護知識分享-KIA MOS管,MOSFET柵源保護:功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力,特別是在高頻的應用場(chǎng)合...
電子元器件的識別方法-電子元器件識別:由于電子元器件種類(lèi)繁多,這里就主要講...電子元器件的識別方法-電子元器件識別:由于電子元器件種類(lèi)繁多,這里就主要講電阻、電容、晶體二極管、穩壓二極管、電感、變容二極管、晶體三極管、場(chǎng)效應晶體管...
晶體管搭建常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路:常見(jiàn)的晶體管有二極管、三極管和MOS管,主要的邏...晶體管搭建常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路:常見(jiàn)的晶體管有二極管、三極管和MOS管,主要的邏輯門(mén)電路:與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)等,這篇文章介紹用晶體管搭建...
100V130A|KNX2910A中文資料-特性,RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度電池設...100V130A|KNX2910A中文資料-特性,RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度電池設計,超低導通電阻,100%雪崩測試,無(wú)鉛環(huán)保器件(符合RoHS標準)
MOS管保護電路實(shí)測,分析:功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOS管具有較脆弱的承...MOS管保護電路實(shí)測,分析:功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力,特別是在高頻的應用場(chǎng)合,所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理...