MOS管保護電路|MOSFET柵源保護知識分享-KIA MOS管

MOSFET柵源保護知識

MOSFET柵源保護：功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應用場(chǎng)合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來(lái)提高器件的可靠性。

MOSFET柵源保護-功率MOS管保護電路主要有以下幾個(gè)方面：

1.防止柵極 di/dt 過(guò)高

由于采用驅動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅動(dòng)功率管會(huì )引起驅動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的 di/dt 而引起誤導通。

為避免上述現象的發(fā)生，通常在 MOS 驅動(dòng)器的輸出與 MOS 管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。

2.防止柵源極間過(guò)電壓

由于柵極與源極的阻抗很高，漏極與源極間的電壓突變會(huì )通過(guò)極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當高的柵源尖峰電壓，此電壓會(huì )使很薄的柵源氧化層擊穿，同時(shí)柵極很容易積累電荷也會(huì )使柵源氧化層擊穿，所以要在 MOS 管柵極并聯(lián)穩壓管以限制柵極電壓在穩壓管穩壓值以下，保護 MOS 管不被擊穿，MOS管柵極并聯(lián)電阻是為了釋放柵極電荷，不讓電荷積累。

3.防護漏源極之間過(guò)電壓

雖然漏源擊穿電壓 VDS 一般都很大，但如果漏源極不加保護電路，同樣有可能因為器件開(kāi)關(guān)瞬間電流的突變而產(chǎn)生漏極尖峰電壓，進(jìn)而損壞MOS管，功率管開(kāi)關(guān)速度越快，產(chǎn)生的過(guò)電壓也就越高。

為了防止器件損壞，通常采用齊納二極管鉗位和 RC 緩沖電路等保護措施。

MOSFET柵源保護：

當電流過(guò)大或者發(fā)生短路時(shí)，功率MOS管漏極與源極之間的電流會(huì )迅速增加并超過(guò)額定值，必須在過(guò)流極限值所規定的時(shí)間內關(guān)斷功率 MOS 管,否則器件將被燒壞，因此在主回路增加電流采樣保護電路，當電流到達一定值，通過(guò)保護電路關(guān)閉驅動(dòng)電路來(lái)保護MOS管。

下圖是MOS管的保護電路，由此可以清楚的看出保護電路的功能。

MOSFET柵源保護

MOS管的柵極和源極之間的電阻：

一是為場(chǎng)效應管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護柵極G-源極S；

保護柵極G-源極S：

場(chǎng)效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉，兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極；

這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場(chǎng)效應管的作用。

MOSFET柵源保護

KIA半導體專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應管廠(chǎng)家（國家高新技術(shù)企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場(chǎng)，研發(fā)為先導，了解客戶(hù)需求，運用創(chuàng )新的集成電路設計方案和國際同步研發(fā)技術(shù)；

結合中國市場(chǎng)的特點(diǎn)，向市場(chǎng)推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)品，產(chǎn)品的穩定性，高性?xún)r(jià)比，良好的服務(wù)，以及和客戶(hù)充分的技術(shù)，市場(chǎng)溝通的嚴謹態(tài)度，在移動(dòng)數碼，LCE,HID,LED,電動(dòng)車(chē)，開(kāi)關(guān)電源，逆變器，節能燈等領(lǐng)域深得客戶(hù)認可。

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