80V160A低壓MOS管 KNX2708A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專有新型溝槽技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=4...80V160A低壓MOS管 KNX2708A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專有新型溝槽技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 3、低柵電荷最小開關(guān)損耗 4、快速恢復(fù)體二極管
場效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。場效應(yīng)管電機(jī)...場效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。場效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動:下圖就是一種簡單的H橋電路,它由2個P型場效應(yīng)管Q1、Q2與2個N型場效應(yīng)管Q3、Q3...
80V?150A MOS管?KNX2808A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=4.0mΩ(typ).@VGS=10V 100%雪...80V?150A MOS管?KNX2808A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=4.0mΩ(typ).@VGS=10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠色設(shè)備可用(符合RoHS標(biāo)準(zhǔn))
對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),Rdson 與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV ,都是從減小EPI...對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),Rdson 與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV ,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI 參雜濃度減小了,電阻必然變大...
場效應(yīng)管時間繼電器如何工作? 場效應(yīng)管具有極高的輸入阻抗,導(dǎo)通時從電源輸入...場效應(yīng)管時間繼電器如何工作? 場效應(yīng)管具有極高的輸入阻抗,導(dǎo)通時從電源輸入的電流幾乎可以忽略。因此允許采用很大的充電電阻,有利于比延時的提高。 (1)電...
IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-產(chǎn)品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的...IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-產(chǎn)品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的型號,下面介紹一下IRFB3607代替型號的參數(shù)、封裝等詳情。 1、RDS(ON)=7mΩ@VGS=1...