FET簡述(原理、結(jié)構(gòu)、分類)-FET(場效應(yīng)晶體管)的應(yīng)用,F(xiàn)ET即Field Effect ...FET簡述(原理、結(jié)構(gòu)、分類)-FET(場效應(yīng)晶體管)的應(yīng)用,F(xiàn)ET即Field Effect Transistor,譯為場效應(yīng)晶體管,也叫場效應(yīng)管,是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制...
本文主要解析功率mos管為何會被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(...本文主要解析功率mos管為何會被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)?..
半導(dǎo)體如何區(qū)分,根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體...半導(dǎo)體如何區(qū)分,根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體:容易導(dǎo)電的物體。如:鐵、銅等等;絕緣體:幾乎不導(dǎo)電的物體。如:橡膠等等...
MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品特征與公司簡介: VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.08Ω@V...MOS管 KIA2310 3.0A/60V產(chǎn)品特征與公司簡介: VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.08Ω@VGS=10V,ID=3.0A VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.11Ω@VGS=4.5V,ID=2.0A 深圳市可易亞半導(dǎo)...
MOS控制晶閘管是什么-MOS控制晶閘管工作原理和應(yīng)用,MOS控制晶閘管由VAK Templ...MOS控制晶閘管是什么-MOS控制晶閘管工作原理和應(yīng)用,MOS控制晶閘管由VAK Temple開發(fā)。它是一個(gè)電壓控制器,晶閘管是完全可控的晶閘管。MOS控制晶閘管的操作與GTO晶...
MOS管 KNX4850S 8A/500V規(guī)格書 原廠正品 廠家直銷 ,MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)...MOS管 KNX4850S 8A/500V規(guī)格書 原廠正品 廠家直銷 ,MOS管 KNX4850S 8A/500V產(chǎn)品特征: RDS(ON)=0.7Ω(typ)@VGS=10V 符合RoHS 低導(dǎo)通電阻 低柵極電荷 峰值電...