傳輸管TG原理及組合邏輯延時(shí):MOS,即場(chǎng)效應(yīng)管,四端器件,S、D、G、B四個(gè)端口...傳輸管TG原理及組合邏輯延時(shí):MOS,即場(chǎng)效應(yīng)管,四端器件,S、D、G、B四個(gè)端口可以實(shí)現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對(duì)偶特性:...
MOS管開關(guān)電流電路延遲線:開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、...MOS管開關(guān)電流電路延遲線:開關(guān)電流技術(shù)是近年來提出的一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。與已成熟的開關(guān)電容技術(shù)相比,開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能...
MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer:場(chǎng)效應(yīng)管(Field-EffectTransistor)通過不同的搭配...MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer:場(chǎng)效應(yīng)管(Field-EffectTransistor)通過不同的搭配可以構(gòu)成各種各樣的門電路,如開篇所說,這些最基本的單元電路或許是現(xiàn)代IC的基礎(chǔ)。...
MOS管的關(guān)斷緩沖電路:在帶變壓器的開關(guān)電源拓?fù)渲校_關(guān)管關(guān)斷時(shí),電壓和電流...MOS管的關(guān)斷緩沖電路:在帶變壓器的開關(guān)電源拓?fù)渲校_關(guān)管關(guān)斷時(shí),電壓和電流的重疊引起的損耗是開關(guān)電源損耗的主要部分,同時(shí),由于電路中存在雜散電感和雜散電...
MOS管柵極最高電壓:大部分MOS管指定了最大柵源極間電壓(±20V)。如果超過這個(gè)...MOS管柵極最高電壓:大部分MOS管指定了最大柵源極間電壓(±20V)。如果超過這個(gè)限制,器件就容易被損壞。當(dāng)MOS管工作時(shí)使用柵極輸入電阻,并在一個(gè)具有較大供電電壓的...
KNF7650MOS管500V25A參數(shù)-特性:高級(jí)平面流程,RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS =...KNF7650MOS管500V25A參數(shù)-特性:高級(jí)平面流程,RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS = 10v,低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化,堅(jiān)固的多晶硅柵極結(jié)構(gòu)?