場效應管混頻器原理與電路:混頻器一般由輸入信號回路、本機振蕩器、非線性器件...場效應管混頻器原理與電路:混頻器一般由輸入信號回路、本機振蕩器、非線性器件和濾波網(wǎng)絡(luò)等4部分組成,如圖1所示。這里的非線性器件本身僅實現(xiàn)頻率變換,本振信號...
鐵電場效應管也就是鐵電介質(zhì)柵極場效應晶體管(MFSFET,Metal-Ferroelectric-S...鐵電場效應管也就是鐵電介質(zhì)柵極場效應晶體管(MFSFET,Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET):這是在MOSFET的基礎(chǔ)上,把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數(shù)的...
薄膜場效應管解析:場效應管是利用改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件,...薄膜場效應管解析:場效應管是利用改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件,這種器件不但具有一般半導體三極管體積小、重量輕、耗電省、壽命長等特點,而且還有輸...
自旋場效應管(Spin-FET), 也稱為自旋偏振(極化)半導體場效應晶體管,這是...自旋場效應管(Spin-FET), 也稱為自旋偏振(極化)半導體場效應晶體管,這是一種半導體自旋電子器件。自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出來的。
場效應管圖標:場效應管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應管有4...場效應管圖標:場效應管一般具有3個電極:柵極G、源極S和漏極D(雙柵場效應管有4個電極:柵極G1、極柵G2、源極S和漏極D)。場效應管的柵極G、源極S和漏極D的功能分別對...
隧穿場效應管介紹:在傳統(tǒng)MOSFET中,載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。...隧穿場效應管介紹:在傳統(tǒng)MOSFET中,載流子從源極越過pn結(jié)勢壘熱注入到溝道中。而隧穿場效應晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶...