高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu),其中,厚的低摻雜的 N-的外延層,即 e...高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu),其中,厚的低摻雜的 N-的外延層,即 epi 層,用來(lái)保證具有足夠的擊穿電壓,低摻雜的 N-的 epi 層的尺寸越厚,耐壓的額定值...
這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特...這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制,可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承...
boost電路中,二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于,當(dāng) mosfet 開(kāi)啟時(shí),二極管中...boost電路中,二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于,當(dāng) mosfet 開(kāi)啟時(shí),二極管中的電流為 0,電感電流線性增大;當(dāng) mosfet 關(guān)斷時(shí),二極管與電感串聯(lián),二者電流相等...
輸入偏置電流會(huì)流過(guò)外面的電阻網(wǎng)絡(luò),從而轉(zhuǎn)化成運(yùn)放的失調(diào)電壓,再經(jīng)運(yùn)放話后就...輸入偏置電流會(huì)流過(guò)外面的電阻網(wǎng)絡(luò),從而轉(zhuǎn)化成運(yùn)放的失調(diào)電壓,再經(jīng)運(yùn)放話后就到了運(yùn)入的輸出端,造成了運(yùn)放的輸入誤差。
KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制,可...KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制,可最大限度地減少導(dǎo)通損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。...
運(yùn)放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios,眾說(shuō)周知,理想運(yùn)放是沒(méi)有輸入偏置...運(yùn)放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios,眾說(shuō)周知,理想運(yùn)放是沒(méi)有輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios 的。但每一顆實(shí)際運(yùn)放都會(huì)有輸入偏置電流 Ib 和輸入失...