運(yùn)放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會形成運(yùn)放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)...運(yùn)放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會形成運(yùn)放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)用中,運(yùn)算放大器的輸入電容都不會造成問題。但在某些應(yīng)用中會引起放大電路的不穩(wěn)定...
KIA65R700超結(jié)場效應(yīng)管650V7A,減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能優(yōu)異,可在雪...KIA65R700超結(jié)場效應(yīng)管650V7A,減少傳導(dǎo)損耗,提供卓越的開關(guān)性能優(yōu)異,可在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合于交流/直流功率轉(zhuǎn)換的開關(guān)模式操作,...
(1)由于 VBAT 端要提供負(fù)載的工作電流,因此,要求 PMOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻比 NMO...(1)由于 VBAT 端要提供負(fù)載的工作電流,因此,要求 PMOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻比 NMOS 管要更小。一般來說,導(dǎo)通內(nèi)阻越小,其 Gate 端的結(jié)電容就越大,所以 PMOS 管的開...
基于MOS管的防反接電路,如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接...基于MOS管的防反接電路,如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接電路,MOS管類型的防反接保護(hù)電路,具有低功耗和壓降小的優(yōu)點(diǎn)。
這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特別定制,可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承...
輸入低頻紋波 (1) 增加輸出低頻濾波的電感、電容容量及數(shù)量輸入低頻紋波 (1) 增加輸出低頻濾波的電感、電容容量及數(shù)量