引言

20世紀70年代，CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器同時(shí)起步。CCD圖像傳感器由于靈敏度高、噪聲低，逐步成為圖像傳感器的主流。但由于工藝上的原因，敏感元件和信號處理電路不能集成在同一芯片上，造成由CCD圖像傳感器組裝的攝像機體積大、功耗大。CMOS圖像傳感器以其體積小、功耗低在圖像傳感器市場(chǎng)上獨樹(shù)一幟。但最初市場(chǎng)上的CMOS圖像傳感器，一直沒(méi)有擺脫光照靈敏度低和圖像分辨率低的缺點(diǎn)，圖像質(zhì)量還無(wú)法與CCD圖像傳感器相比。

如果把CMOS圖像傳感器的光照靈敏度再提高5倍～10倍，把噪聲進(jìn)一步降低，CMOS圖像傳感器的圖像質(zhì)量就可以達到或略微超過(guò)CCD圖像傳感器的水平，同時(shí)能保持體積小、重量輕、功耗低、集成度高、價(jià)位低等優(yōu)點(diǎn)，如此，CMOS圖像傳感器取代CCD圖像傳感器就會(huì )成為事實(shí)。

由于CMOS圖像傳感器的應用，新一代圖像系統的開(kāi)發(fā)研制得到了極大的發(fā)展，并且隨著(zhù)經(jīng)濟規模的形成，其生產(chǎn)成本也得到降低?，F在，CMOS圖像傳感器的畫(huà)面質(zhì)量也能與CCD圖像傳感器相媲美，這主要歸功于圖像傳感器芯片設計的改進(jìn)，以及亞微米和深亞微米級設計增加了像素內部的新功能。

實(shí)際上，更確切地說(shuō)，CMOS圖像傳感器應當是一個(gè)圖像系統。一個(gè)典型的CMOS圖像傳感器通常包含：一個(gè)圖像傳感器核心（是將離散信號電平多路傳輸到一個(gè)單一的輸出，這與CCD圖像傳感器很相似），所有的時(shí)序邏輯、單一時(shí)鐘及芯片內的可編程功能，比如增益調節、積分時(shí)間、窗口和模數轉換器。事實(shí)上，當一位設計者購買(mǎi)了CMOS圖像傳感器后，他得到的是一個(gè)包括圖像陣列邏輯寄存器、存儲器、定時(shí)脈沖發(fā)生器和轉換器在內的全部系統。與傳統的CCD圖像系統相比，把整個(gè)圖像系統集成在一塊芯片上不僅降低了功耗，而且具有重量較輕，占用空間減少以及總體價(jià)格更低的優(yōu)點(diǎn)。

一、CMOS基本原理

從某一方面來(lái)說(shuō)，CMOS圖像傳感器在每個(gè)像素位置內都有一個(gè)放大器，這就使其能在很低的帶寬情況下把離散的電荷信號包轉換成電壓輸出，而且也僅需要在幀速率下進(jìn)行重置。CMOS圖像傳感器的優(yōu)點(diǎn)之一就是它具有低的帶寬，并增加了信噪比。由于制造工藝的限制，早先的CMOS圖像傳感器無(wú)法將放大器放在像素位置以?xún)?。這種被稱(chēng)為PPS的技術(shù)，噪聲性能很不理想，而且還引來(lái)對CMOS圖像傳感器的種種干擾。

隨著(zhù)制作工藝的提高，使在像素內部增加復雜功能的想法成為可能?，F在，在像素位置以?xún)纫呀?jīng)能增加諸如電子開(kāi)關(guān)、互阻抗放大器和用來(lái)降低固定圖形噪聲的相關(guān)雙采樣保持電路以及消除噪聲等多種附加功能。實(shí)際上，在Conexant公司（前Rockwell半導體公司）的一臺先進(jìn)的CMOS攝像機所用的CMOS圖傳感器上，每一個(gè)像素中都設計并使用了6個(gè)晶體管，測試到的讀出噪聲只有1均方根電子。不過(guò)，隨著(zhù)像素內電路數量的不斷增加，留給感光二極管的空間逐漸減少，為了避免這個(gè)比例（又稱(chēng)占空因數或填充系數）的下降，一般都使用微透鏡，這是因為每個(gè)像素位置上的微小透鏡都能改變入射光線(xiàn)的方向，使得本來(lái)會(huì )落到連接點(diǎn)或晶體管上的光線(xiàn)重回到對光敏感的二極管區域。

因為電荷被限制在像素以?xún)?，所以CMOS圖像傳感器的另一個(gè)固有的優(yōu)點(diǎn)就是它的防光暈特性。在像素位置內產(chǎn)生的電壓先是被切換到一個(gè)縱列的緩沖區內，然后再被傳輸到輸出放大器中，因此不會(huì )發(fā)生傳輸過(guò)程中的電荷損耗以及隨后產(chǎn)生的光暈現象。它的不利因素是每個(gè)像素中放大器的閾值電壓都有細小的差別，這種不均勻性就會(huì )引起固定圖像噪聲。然而，隨著(zhù)CMOS圖像傳感器的結構設計和制造工藝的不斷改進(jìn)，這種效應已經(jīng)得到顯著(zhù)弱化。

這種多功能的集成化，使得許多以前無(wú)法應用圖像技術(shù)的地方現在也變得可行了，如孩子的玩具，更加分散的保安攝像機、嵌入在顯示器和膝上型計算機顯示器中的攝像機、帶相機的移動(dòng)電路、指紋識別系統、甚至于醫學(xué)圖像上所使用的一次性照相機等，這些都已在某些設計者的考慮之中。

然而，這個(gè)行業(yè)還有一個(gè)受到普遍關(guān)注的問(wèn)題，那就是測量方法，具體指標、陣列大小和特性等方面還缺乏統一的標準。每一位工程師在比較各種資料一覽表時(shí)，可能會(huì )發(fā)現在一張表上列出的是關(guān)于讀出噪聲或信噪比的資料，而在另一張表上可能只是強調關(guān)于動(dòng)態(tài)范圍或最大勢阱容量的資料。因此，這就要求設計者們能夠判斷哪一個(gè)參數對他們最重要，并且盡可能充分利用多產(chǎn)品的CMOS圖像傳感器家族。

一些關(guān)鍵的性能參數是任何一種圖像傳感器都需要關(guān)注的，包括信噪比、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲（固定圖形噪聲和讀出噪聲）、光學(xué)尺寸以及電壓的要求。應當知道并用來(lái)對比的重要參數有：最大勢阱容量、各種工作狀態(tài)下的讀出噪聲、量子效率以及暗電流，至于信噪比之類(lèi)的其它參數都是由那些基本量度推導出來(lái)的。

對于像保安攝像機一類(lèi)的低照度級的應用，讀出噪聲和量子效應最重要。然而對于象戶(hù)外攝影一類(lèi)的中、高照度級的應用，比較大的最大勢阱容量就顯得更為重要。

動(dòng)態(tài)范圍和信噪比是最容易被誤解和誤用的參數。動(dòng)態(tài)范圍是最大勢阱容量與最低讀出噪聲的比值，它之所以引起誤解，是因為讀出噪聲經(jīng)常不是在典型的運行速度下測得的，而且暗電流散粒噪聲也常常沒(méi)有被計算在內。信噪比主要決定于入射光的亮度級（事實(shí)上，在亮度很低的情況下，噪聲可能比信號還要大）。

所以，信噪比應該將所有的噪聲源都考慮在內，有些資料一覽表中常常忽略散粒噪聲，而它恰恰是中、高信號電平的主要噪聲來(lái)源。而SNRDARK得到說(shuō)明，實(shí)際上與動(dòng)態(tài)范圍沒(méi)有什么兩樣。數字信噪比或數字動(dòng)態(tài)范圍是另一個(gè)容易引起混淆的概念，它表明的只是模擬/數字（A/D）轉換器的一個(gè)特性。雖然這可能很重要，但它并不能精確地描述圖像的質(zhì)量。同時(shí)我們也應清楚地認識到，當圖像傳感器具有多個(gè)可調模擬增益設置時(shí)，模擬/數字轉換器的分辨率不會(huì )對圖像傳感器的動(dòng)態(tài)范圍產(chǎn)生限制。

光學(xué)尺寸的概念的模糊，是由于傳統觀(guān)念而致。使用光導攝像管只能在部分范圍內產(chǎn)生有用的圖像。它的計算包括度量單位的轉換和向上舍入的方法。采用向上舍入的方法，先以毫米為單位測量圖像傳感器的對角線(xiàn)除以16，就能得到以英寸為單位的光學(xué)尺寸。例如0.97cm的尺寸是1.27cm而不是0.85cm。假如你選擇了一個(gè)光學(xué)尺寸為0.85cm的圖像傳感器，很可能出現圖像的四周角落上的映影（陰影）現象。這是因為有些資料一覽表欺騙性地使用了向下舍入的方法。例如，將0.97cm的尺寸稱(chēng)為0.85cm,理由很簡(jiǎn)單：0.85cm光學(xué)尺寸的圖像傳感器的價(jià)格要比1.27cm光學(xué)尺寸的圖像傳感器的價(jià)格低得多，但是這對系統工作性能產(chǎn)生不利影響。所以，設計者應該通過(guò)計算試用各種不同的圖像傳感器來(lái)得到想要的性能。

CMOS圖像傳感器的一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)就是它只要求一個(gè)單電壓來(lái)驅動(dòng)整個(gè)裝置。不過(guò)設計者仍應謹慎地布置電路板驅動(dòng)芯片。根據實(shí)際要求，數字電壓和模擬電壓之間盡可能地分離開(kāi)以防止串擾。因此良好的電路板設計，接地和屏蔽就顯得非常重要。盡管這種圖像傳感器是一個(gè)CMOS裝置并具有標準的輸入/輸出（I/O）電壓，但它實(shí)際的輸入信號相當小，而且對噪聲也很敏感。

到目前為止，已設計出高集成度單芯片CMOS圖像傳感器。設計者力求使有關(guān)圖像的應用更容易實(shí)現多功能，包括自動(dòng)增益控制（AGC）、自動(dòng)曝光控制（AEC）、自動(dòng)平衡（AMB）、伽瑪樣正、背景補償和自動(dòng)黑電平校正。所有的彩色矩陣處理功能都集成在芯片中。CMOS圖像傳感器允許片上的寄存器通過(guò)I2C總線(xiàn)對攝像機編程，具有動(dòng)態(tài)范圍寬、抗浮散且幾乎沒(méi)有拖影的優(yōu)點(diǎn)。

二、CMOS APS的潛在優(yōu)點(diǎn)和設計方法

1、CMOS APS勝過(guò)CCD圖像傳感器的潛在優(yōu)點(diǎn)

CMOSAPS勝過(guò)CCD圖像傳感器的潛在優(yōu)點(diǎn)包括[1]～[5]：

1）消除了電荷反復轉移的麻煩，免除了在輻射條件下電荷轉移效率（CTE）的退化和下降。

2）工作電流很小，可以防止單一振動(dòng)和信號閉鎖。

3）在集成電路芯片中可進(jìn)行信號處理，因此可提供芯跡線(xiàn)，模/數轉換的自調節，也能提供由電壓漂移引起的輻射調節。

與硅探測器有關(guān)，需要解決的難題和爭論點(diǎn)包括[1]～[2]：

1）在體材料界面由于輻射損傷而產(chǎn)生的暗電流

的增加問(wèn)題。

2）包括動(dòng)態(tài)范圍損失的閾值漂移問(wèn)題。

3）在模/數轉換電路中，定時(shí)和控制中的信號閉鎖和單一擾動(dòng)問(wèn)題。

2、CMOS APS的設計方法

CMOS APS的設計方法包括：

1）為了降低暗電流而進(jìn)行研制創(chuàng )新的像素結構。

2）使用耐輻射的鑄造方法，再研制和開(kāi)發(fā)中等尺寸“dumb”（?。┏上駜x（通過(guò)反復地開(kāi)發(fā)最佳像素結構）。

3）研制在芯片上進(jìn)行信號處理的器件，以適應自動(dòng)調節本身電壓Vt的漂移和動(dòng)態(tài)范圍的損失。

4）研制和開(kāi)發(fā)耐輻射（單一擾動(dòng)環(huán)境）的定時(shí)和控制裝置。

5）研制和加固耐輻射的模/數轉換器。

6）尋找低溫工作條件，以便在承受最大幅射強度時(shí)，找到并證實(shí)最佳的工作溫度。

7）研制和開(kāi)發(fā)大尺寸、全數字化、耐輻射的CMOS APS，以便生產(chǎn)。

8）測試、評價(jià)和鑒定該器件的性能。

9）引入當代最高水平的組合式光學(xué)通信/成像

系統測試臺。

三、像素電路結構設計

目前，已設計的CMOS圖像傳感器像素結構有：空隙積累二極管（HAD）型結構、光電二極管型無(wú)源像素結構、光電二極管型有源像素結構、對數變換積分電路型結構、掩埋電荷積累和敏感晶體管陣列（BCAST）型結構、低壓驅動(dòng)掩埋光電二極管（LV－BPD）型結構、深P阱光電二極管型結構、針型光電二極管（PPD）結構和光柵型有源像素結構等。

1、CMOS PPS像素結構設計

光電二極管型CMOS無(wú)源像素傳感器（CMOS PPS）的結構自從1967年Weckler首次提出以來(lái)實(shí)質(zhì)上一直沒(méi)有變化，其結構如圖1所示。它由一個(gè)反向偏置的光敏二極管和一個(gè)開(kāi)關(guān)管構成。當開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟時(shí)，光敏二極管與垂直的列線(xiàn)連通。位于列線(xiàn)末端的電荷積分放大器讀出電路保持列線(xiàn)電壓為一常數，并減小KTC噪聲。當光敏二極管存貯的信號電荷被讀出時(shí)，其電壓被復位到列線(xiàn)電壓水平，與此同時(shí)，與光信號成正比的電荷由電荷積分放大器轉換為電荷輸出。

單管的PD CMOS PPS允許在給定的像素尺寸下有最高的設計填充系數，或者在給定的設計填充系數下，可以設計出最小的像素尺寸。另外一個(gè)開(kāi)關(guān)管也可以采用，以實(shí)現二維的X Y尋址。由于填充系數高且沒(méi)有許多CCD中多晶硅疊層，CMOS PPS像素結構的量子效率較高。但是，由于傳輸線(xiàn)電容較大，CMOS PPS讀出噪聲較高，典型值為250個(gè)均方根電子，這是致命的弱點(diǎn)。

2、CMOS APS的像素結構設計

幾乎在CMOS PPS像素結構發(fā)明的同時(shí)，科學(xué)家很快認識到在像素內引入緩沖器或放大器可以改善像素的性能。雖然CMOS圖像傳感器的成像裝置將光子轉換為電子的方法與CCD相同，但它不是時(shí)鐘驅動(dòng)，而是由晶體三極管作為電荷感應放大器。在一些CMOS圖像傳感器中，每組像素的頂端有一個(gè)放大器，每個(gè)像素只有一個(gè)作為閾值電流值開(kāi)關(guān)的三極管。開(kāi)關(guān)像素中的電荷為放大器充電，其過(guò)程類(lèi)似DRAM中的讀取電路，這種傳感器被稱(chēng)為PPS。PPS的結構很簡(jiǎn)單，它具有高填充系數。各像元沒(méi)有很多的多晶硅層覆蓋，其量子效率很高，但是PPS的讀取干擾很高，只適應于小陣列傳感器。

在CMOS APS中每一像素內都有自己的放大器。CMOS APS的填充系數比CMOS PPS的小，集成在表面的放大晶體管減少了像素元件的有效表面積，降低了“封裝密度”，使40％～50％的入射光被反射。這種傳感器的另一個(gè)問(wèn)題是，如何使傳感器的多通道放大器之間有較好的匹配，這可以通過(guò)降低殘余水平的固定圖形噪聲較好地實(shí)現。由于CMOS APS像素內的每個(gè)放大器僅在此讀出期間被激發(fā)，所以CMOS APS的功耗比CCD圖像傳感器的還小。與CMOS PPS相比，CMOS－APS的填充系數較小，其設計填充系數典型值為20％～30％，接近內線(xiàn)轉換CCD的值。

2.1光敏二極管CMOS APS（PD CMOS APS）的像素結構

1968年，Noble描述了PD CMOS APS。后來(lái)，這種像素結構有所改進(jìn)。PD CMOS APS的像素結構如圖2所示。

高性能CMOS APS由美國哥倫比亞大學(xué)電子工程系和噴氣推進(jìn)實(shí)驗室（JPL）在1994年首次研制成功，像素數為128×128，像素尺寸為40μm×40μm，管芯尺寸為6.8mm×6.8mm，采用1.2μmCMOSn阱工藝試制，動(dòng)態(tài)范圍為72dB,固定圖形噪聲小于0.15％飽和信號水平。固定圖形噪聲小于0.15％飽和信號水平。1997年***東芝公司研制成功了640×480像素光敏二極管型CMOS APS，其像素尺寸為5.6μm×5.6μm,具有彩色濾色膜和微透鏡陣列。2000年美國Foveon公司與美國國家半導體公司采用0.18μmCMOS工藝研制成功4096×4096像素CMOS APS[10]，像素尺寸為5μm×5μm，管芯尺寸為22mm×22mm，這是迄今為止世界上集成度最高、分辨率最高的CMOS固體攝像器件。有關(guān)CMOS APS的工作原理、發(fā)展現狀及其應用，筆者已作過(guò)詳細介紹。

因為光敏面沒(méi)有多晶硅疊層，PD CMOS APS的量子效率較高，它的讀出噪聲由復位噪聲限制，典型值為75均方根電子～100均方根電子。PD CMOS APS的每個(gè)像素采用3個(gè)晶體管，典型的像元間距為15μm。PD CMOS APS適宜于大多數低性能應用。

2．2光柵型CMOS APS(PG CMOS APS)的像素結構

1993年由JPL最早研制成功PG CMOS APS并用于高性能科學(xué)成像的低光照明成像。PG CMOS APS結合了CCD和X Y尋址的優(yōu)點(diǎn)，其結構如圖3所示。

光柵信號電荷積分在光柵（PG）下，浮置擴散點(diǎn)（A）復位（電壓為VDD），然后改變光柵脈沖，收集在光柵下的信號電荷轉移到擴散點(diǎn)，復位電壓水平與信號電壓水平之差就是傳感器的輸出信號。

當采用雙層多晶硅工藝時(shí)，PG與轉移柵（TX）之間要恰當交疊。在光柵與轉移柵之間插入擴散橋，可以采用單層多晶硅工藝，這種擴散橋要引起大約100個(gè)電子的拖影。

光柵型CMOS APS每個(gè)像素采用5個(gè)晶體管，典型的像素間距為20μm（最小特征尺寸）。采用0.25μmCMOS工藝將允許達到5μm的像素間距。浮置擴散電容的典型值為10－14F量級，產(chǎn)生20μV/e的增益，讀出噪聲一般為10均方根電子～20均方根電子，已有讀出噪聲為5均方根電子的報道。

CMOS圖像傳感器的設計分為兩大部分，即電路設計和工藝設計，CMOS圖像傳感器的性能好壞，不僅與材料、工藝有關(guān)，更重要的是取決于電路設計和工藝流程以及工藝參數設計。這對設計人員提出更高的要求，設計人員面要寬，在設計中，不但要懂電路、工藝、系統方面的知識，還要有較深的理論知識。這個(gè)時(shí)代對設計者來(lái)說(shuō)是一個(gè)令人興奮和充滿(mǎn)挑戰的時(shí)代。計算機輔助設計技術(shù)為設計者提供了極大的方便，但圖像系統的用途以及目標用戶(hù)的范圍由制造商決定。如果用戶(hù)裝有Windows95的系統，那么就要確定圖像系統不是Windows98的。如果你只是為了獲取并存儲大量的低分辨率圖像，那就不要選擇一個(gè)能夠提供優(yōu)質(zhì)圖像但同時(shí)會(huì )產(chǎn)生更多數據以致于無(wú)法存儲的高分辨率圖像傳感器?，F在還存在許多非標準的接口系統?，F在僅供數字相機所使用可裝卸存儲介質(zhì)就包括PCMCIA卡、東芝（Toshiba）的速閃存儲器及軟磁盤(pán)。重要的是，要根據產(chǎn)品未來(lái)所在的工作環(huán)境，對樣品進(jìn)行細致的性能評估。

三、3CCD和CMOS系統的設計

CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器在設計上各不相同，對于CCD圖像傳感器，不能在同一芯片上集成所需的功能電路。因此，在設計時(shí)，除設計光敏感部分（即CCD圖像傳感器）外，還要考慮設計提供信號和圖像處理的功能電路，即信號讀出和處理電路，這些電路需要在另外的基片上制備好后才能組裝在CCD圖像傳感器的外圍；而CMOS圖像傳感器則不同，特別是CMOS APS可以將所有的功能電路與光敏感部分（光電二極管）同時(shí)集成在同一基片上，制作成高度集成化的單芯片攝像系統。與前者相比，成本低、制備容易、體積小、微型化、功耗低，雖然開(kāi)始有人認為光照靈敏度不如CCD圖像傳感器的高，并且暗電流和噪聲比較大，近來(lái)由于改進(jìn)了電路設計，采用亞微米和深亞微米光刻技術(shù)，使CMOS圖像傳感器的性能得到改善。已經(jīng)具備與CCD圖像傳感器進(jìn)行競爭的條件，21世紀，CMOS攝像器件將成為信息獲取與處理領(lǐng)域的佼佼者。到那時(shí)，單芯片攝像機和單芯片數碼相機將進(jìn)入千家萬(wàn)戶(hù)。這些都得益于CMOS APS為人們提供了高度集成化的系統，如圖4

所示。圖5示出CMOS數碼相機的框圖，從中可見(jiàn)數碼相機設計的復雜性。

6結語(yǔ)

CMOS圖像傳感器的前途是光明的，隨著(zhù)多媒體、數字電視、可視通訊等市場(chǎng)的增加，CMOS圖像傳感器的應用前景更加廣闊。

CMOS APS為MIS/CCD圖像傳感器設計提供了另一選擇方案，它把電荷轉換成電壓所需的晶體管裝在每個(gè)像素內。在這種器件內均不必進(jìn)行電荷轉移，因為數據讀取是在單個(gè)像素內完成的。與CCD圖像傳感器相比，這種器件有很成熟的CMOS集成電路工藝，在降低成本方面有潛力。預期CMOS APS在許多非科學(xué)應用領(lǐng)域內將最終替代CCD圖像傳感器。

CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互補金屬氧化物半導體）的縮寫(xiě)。它是指制造大規模集成電路芯片用的一種技術(shù)或用這種技術(shù)制造出來(lái)的芯片，是電腦主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片。因為可讀寫(xiě)的特性，所以在電腦主板上用來(lái)保存BIOS設置完電腦硬件參數后的數據，這個(gè)芯片僅僅是用來(lái)存放數據的。

而對BIOS中各項參數的設定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。BIOS設置程序一般都被廠(chǎng)商整合在芯片中，在開(kāi)機時(shí)通過(guò)特定的按鍵就可進(jìn)入BIOS設置程序，方便地對系統進(jìn)行設置。因此BIOS設置有時(shí)也被叫做CMOS設置。

一、CMOS是什么?

CMOS(本意是指互補金屬氧化物半導體存儲囂，是一種大規模應用于集成電路芯片制造的原料)是微機主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片，主要用來(lái)保存當前系統的硬件配置和操作人員對某些參數的設定。CMOS RAM芯片由系統通過(guò)一塊后備電池供電，因此無(wú)論是在關(guān)機狀態(tài)中，還是遇到系統掉電情況，CMOS信息都不會(huì )丟失。

由于CMOS RAM芯片本身只是一塊存儲器，只具有保存數據的功能，所以對CMOS中各項參數的設定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。早期的CMOS設置程序駐留在軟盤(pán)上的(如IBM的PC/AT機型)，使用很不方便?，F在多數廠(chǎng)家將CMOS設置程序做到了 BIOS芯片中，在開(kāi)機時(shí)通過(guò)按下某個(gè)特定鍵就可進(jìn)入CMOS設置程序而非常方便地對系統進(jìn)行設置，因此這種CMOS設置又通常被叫做BIOS設置。

二、CMOS是軀體、是硬件？

BIOS就是(Basic Input/： (BIOS是靈魂，其實(shí)指的都是同一回事，但BIOS與CMOS卻是兩個(gè)完全不同的概念，切勿混淆，所以在實(shí)際使用過(guò)程中造成了BIOS設置和CMOS設置的說(shuō)法：BIOS中的系統設置程序是完成CMOS參數設置的手段；CMOS RAM既是BIOS設定系統參數的存放場(chǎng)所，又是 BIOS設定系統參數的結果，負責解決硬件的即時(shí)需求。CMOS RAM芯片由系統通過(guò)一塊后備電池供電！

實(shí)際上我們是通過(guò)BIOS這個(gè)程序。而CMOS即：Complementary Metal Oxide Semiconductor——互補金屬氧化物半導體，是主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片，還是遇到系統掉電情況，CMOS信息都不會(huì )丟失。

BIOS和CMOS的區別與聯(lián)系。準確地說(shuō)，BIOS是硬件與軟件程序之間的一個(gè)接口或者說(shuō)是轉換器，是一種大規模應用于集成電路芯片制造的原料)。因此，完整的說(shuō)法應該是“通過(guò)BIOS設置程序對CMOS參數進(jìn)行設置”。由于 BIOS和CMOS都跟系統設置密初相關(guān)，基本輸入/輸出系統的縮寫(xiě))在電腦中起到了最基礎的而又最重要的作用。是電腦中最基礎的而又最重要的程序，是微機主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片，主要用來(lái)保存當前系統的硬件配置和操作人員對某些參數的設定。把這一段程序放在一個(gè)不需要供電的記憶體（芯片）中，這就是平時(shí)所說(shuō)的BIOS？

CMOS正確的解釋?zhuān)☉撌?，它們是靈魂與軀體的關(guān)系)

BIOS是一組設置硬件的電腦程序，保存在主板上的一塊EPROM或EEPROM芯片中，里面裝有系統的重要信息和設置系統參數的設置程序——BIOS Setup程序，集成在主板上，里面保存著(zhù)重要的開(kāi)機參數，我們必須通過(guò)程序把設置好的參數寫(xiě)入CMOS，并按軟件對硬件的操作要求具體執行。電腦使用者在使用計算機的過(guò)程中，都會(huì )接觸到BIOS，它在計算機系統中起著(zhù)非常重要的作用。

CMOS為何物，因此無(wú)論是在關(guān)機狀態(tài)中：

BIOS是軟件、是程序！

BIOS是一組設置硬件的電腦程序，保存在主板上的一塊EPROM或EEPROM芯片中，里面裝有系統的重要信息和設置系統參數的設置程序——BIOS Setup程序。而CMOS即：Complementary Metal Oxide Semiconductor——互補金屬氧化物半導體，是主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片，用來(lái)保存當前系統的硬件配置和用戶(hù)對參數的設定，其內容可通過(guò)設置程序進(jìn)行讀寫(xiě)。CMOS芯片由主板上的鈕扣電池供電，即使系統斷電，參數也不會(huì )丟失。CMOS芯片只有保存數據的功能，而對CMOS中各項參數的修改要通過(guò)BIOS的設定程序來(lái)實(shí)現。

BIOS與CMOS既相關(guān)又不同：BIOS中的系統設置程序是完成CMOS參數設置的手段；CMOS RAM既是BIOS設定系統參數的存放場(chǎng)所，又是 BIOS設定系統參數的結果。因此，完整的說(shuō)法應該是“通過(guò)BIOS設置程序對CMOS參數進(jìn)行設置”。由于 BIOS和CMOS都跟系統設置密初相關(guān)，所以在實(shí)際使用過(guò)程中造成了BIOS設置和CMOS設置的說(shuō)法，其實(shí)指的都是同一回事，但BIOS與CMOS卻是兩個(gè)完全不同的概念，切勿混淆。

一般都是在開(kāi)機自檢時(shí)，不停的按“Delete”鍵就能進(jìn)入！

某些主板也有其它鍵，最好看主板說(shuō)明書(shū)。

三、什么是CMOS電路的鎖定效應

COMS電路由于輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大 。這種效應就是鎖定效應。當產(chǎn)生鎖定效應時(shí)，COMS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒毀芯片。

防御措施：

1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過(guò)不超過(guò)規定電壓。

2）芯片的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。

3）在VDD和外電源之間加線(xiàn)流電阻，即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。

4）當系統由幾個(gè)電源分別供電時(shí)，開(kāi)關(guān)要按下列順序：開(kāi)啟時(shí)，先開(kāi)啟COMS電路得電源，再開(kāi)啟輸入信號和負載的電源；關(guān)閉時(shí)，先關(guān)閉輸入信號和負載的電源，再關(guān)閉COMS電路的電源。

四、CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)

（1）功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應管，且都是互補結構，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應管總是處于一個(gè)管導通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門(mén)電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗（在1MHz工作頻率時(shí)）也僅為幾mW。

（2）工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單，供電電源體積小，基本上不需穩壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作。

（3）邏輯擺幅大CMOS集成電路的邏輯高電平“1”、邏輯低電平“0”分別接近于電源高電位VDD及電影低電位VSS。當VDD=15V，VSS=0V時(shí)，輸出邏輯擺幅近似15V。因此，CMOS集成電路的電壓電壓利用系數在各類(lèi)集成電路中指標是較高的。

（4）抗干擾能力強CMOS集成電路的電壓噪聲容限的典型值為電源電壓的45%，保證值為電源電壓的30%。隨著(zhù)電源電壓的增加，噪聲容限電壓的絕對值將成比例增加。對于VDD=15V的供電電壓（當VSS=0V時(shí)），電路將有7V左右的噪聲容限。

（5）輸入阻抗高CMOS集成電路的輸入端一般都是由保護二極管和串聯(lián)電阻構成的保護網(wǎng)絡(luò )，故比一般場(chǎng)效應管的輸入電阻稍小，但在正常工作電壓范圍內，這些保護二極管均處于反向偏置狀態(tài)，直流輸入阻抗取決于這些二極管的泄露電流，通常情況下，等效輸入阻抗高達103~1011Ω，因此CMOS集成電路幾乎不消耗驅動(dòng)電路的功率。

（6）溫度穩定性能好由于CMOS集成電路的功耗很低，內部發(fā)熱量少，而且，CMOS電路線(xiàn)路結構和電氣參數都具有對稱(chēng)性，在溫度環(huán)境發(fā)生變化時(shí)，某些參數能起到自動(dòng)補償作用，因而CMOS集成電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路，工作溫度為-55~+125℃;塑料封裝的電路工作溫度范圍為 -45~+85℃。

（7）扇出能力強扇出能力是用電路輸出端所能帶動(dòng)的輸入端數來(lái)表示的。由于CMOS集成電路的輸入阻抗極高，因此電路的輸出能力受輸入電容的限制，但是，當CMOS集成電路用來(lái)驅動(dòng)同類(lèi)型，如不考慮速度，一般可以驅動(dòng)50個(gè)以上的輸入端。

五、CMOS使用注意事項

（1）COMS電路時(shí)電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個(gè)恒定的電平。

（2）輸入端接低內組的信號源時(shí)，要在輸入端和信號源之間要串聯(lián)限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內。

（3）當接長(cháng)信號傳輸線(xiàn)時(shí)，在COMS電路端接匹配電阻。

（4）當輸入端接大電容時(shí)，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。

（5）COMS的輸入電流超過(guò)1mA，就有可能燒壞COMS。