CMOS門(mén)電路

CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應采用以下方法：

1）、與門(mén)和與非門(mén)電路：由于與門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就是高電平，只有當輸入信號全部為高電平時(shí)，輸出信號才是低電平。所以某輸入端輸入電平為高電平時(shí)，對電路的邏輯功能并無(wú)影響，即其它使用的輸入端與輸出端之間仍具有與或者與非邏輯功能。這樣對于CMOS與門(mén)、與非門(mén)電路的多余輸入端就應采用高電平，即可通過(guò)限流電阻（500Ω）接電源。

2）、或門(mén)、或非門(mén)電路：或門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有高電平輸出信號就為高電平，只有輸入信號全部為低電平時(shí)，輸出信號才為低電平。而或非門(mén)電路的邏輯功能是輸入信號只要有高電平，輸出信號就是低電平，只有當輸入信號全部是低電平時(shí)輸出信號才是高電平。這樣當或門(mén)或者或非門(mén)電路某輸入端的輸入信號為低電平時(shí)并不影響門(mén)電路的邏輯功能。所以或門(mén)和或非門(mén)電路多余輸入端的處理方法應是將多余輸入端接低電平，即通過(guò)限流電阻（500Ω）接地。

CMOS邏輯電平

高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地，是0V。

高電平視為邏輯“1”，電平值的范圍為：VDD的65%～VDD(或者VDD-1.5V～VDD)

低電平視作邏輯“0”，要求不超過(guò)VDD的35%或0～1.5V。

+1.5V～+3.5V應看作不確定電平。在硬件設計中要避免出現不確定電平。

隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，單片機的電源呈下降趨勢。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應用中，VDD為2.7V，甚至1.8V的單片機也已經(jīng)出現。將來(lái)電源電壓還會(huì )繼續下降，降到0.9V，但低于VDD的35%的電平視為邏輯“0”，高于VDD的65%的電平視為邏輯“1”的規律仍然是適用的。

CMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗—CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數量級。

高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達到全電為VDD，邏輯“0”為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS電路為 – 40 0C ~ 85 0C。

CMOS工作原理及詳解

由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個(gè)漏極相連作為輸出端，如圖(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態(tài)。當輸入低電平(Vi=Vss)時(shí)，PMOS管導通，NMOS管截止，輸出高電平，如圖(b)所示?！　ぎ斴斎敫唠娖剑╒i=VDD）時(shí)，PMOS管截止，NMOS管導通，輸出為低電平，如圖(c)所示。兩管如單刀雙擲開(kāi)關(guān)一樣交替工作，構成反相器。

1、非門(mén)

非門(mén)(反向器)是最簡(jiǎn)單的門(mén)電路，由一對CMOS管組成。其工作原理如下：

A端為高電平時(shí)，P型管截止，N型管導通，輸出端C的電平與Vss保持一致，輸出低電平;A端為低電平時(shí)，P型管導通，N型管截止，輸出端C的電平與VDD一致，輸出高電平。

2、與非門(mén)工作原理

①、A、B輸入均為低電平時(shí)，1、2管導通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時(shí)，1、3管導通，2、4管截止，C端電位與1管的漏極保持一致，輸出高電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時(shí)，情況與②類(lèi)似，亦輸出高電平。

④、A、B輸入均為高電平時(shí)，1、2管截止，3、4管導通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

3、或非門(mén)工作原理

①、A、B輸入均為低電平時(shí)，1、2管導通，3、4管截止，C端電壓與VDD一致，輸出高電平。

②、A輸入高電平，B輸入低電平時(shí)，1、4管導通，2、3管截止，C端輸出低電平。

③、A輸入低電平，B輸入高電平時(shí)，情況與②類(lèi)似，亦輸出低電平。

④、A、B輸入均為高電平時(shí)，1、2管截止，3、4管導通，C端電壓與地一致，輸出低電平。

注：將上述“與非”門(mén)、“或非”門(mén)邏輯符號的輸出端的小圓圈去掉，就成了“與”門(mén)、“或”門(mén)的邏輯符號。而實(shí)現“與”、“或”功能的電路圖則必須在輸出端加上一個(gè)反向器，即加上一對CMOS管，因此，“與”門(mén)實(shí)際上比“與非”門(mén)復雜，延遲時(shí)間也長(cháng)些，這一點(diǎn)在電路設計中要注意。

4、三態(tài)門(mén)的工作原理

當控制端C為“1”時(shí)，N型管3導通，同時(shí)，C端電平通過(guò)反向器后成為低電平，使P型管4導通，輸入端A的電平狀況可以通過(guò)3、4管到達輸出端B。

當控制端C為“0”時(shí)，3、4管都截止，輸入端A的電平狀況無(wú)法到達輸出端B，輸出端B呈現高電阻的狀態(tài)，稱(chēng)為“高阻態(tài)”。

這個(gè)器件也稱(chēng)作“帶控制端的傳輸門(mén)”。帶有一定驅動(dòng)能力的三態(tài)門(mén)也稱(chēng)作“緩沖器”，邏輯符號是一樣的。

注：從CMOS等效電路或者真值表、邏輯表達式上都可以看出，把“0”和“1”換個(gè)位置，“與非”門(mén)就變成了“或非”門(mén)。對于“1”有效的信號是“與非”關(guān)系，對于“0”有效的信號是“或非”關(guān)系。

上述圖中畫(huà)的邏輯器件符號均是正邏輯下的輸入、輸出關(guān)系，即對“1”(高電平)有效而言。而單片機中的多數控制信號是按照負有效(低電平有效)定義的。例如片選信號CS(Chip Select)，指該信號為“0”時(shí)具有字符標明的意義，即該信號為“0”表示該芯片被選中。因此，“或非”門(mén)的邏輯符號也可以畫(huà)成下圖。

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