cmos與非門(mén)電路

cmos與非門(mén)簡(jiǎn)介

與非門(mén)是與門(mén)和非門(mén)的結合，先進(jìn)行與運算，再進(jìn)行非運算。與非運算輸入要求有兩個(gè)，如果輸入都用0和1表示的話(huà)，那么與運算的結果就是這兩個(gè)數的乘積。如1和1（兩端都有信號），則輸出為0；1和0，則輸出為1；0和0，則輸出為1。與非門(mén)的結果就是對兩個(gè)輸入信號先進(jìn)行與運算，再對此與運算結果進(jìn)行非運算的結果。簡(jiǎn)單說(shuō)，與非與非，就是先與后非。

電工學(xué)里一種基本邏輯電路，是與門(mén)和非門(mén)的疊加，有兩個(gè)輸入和一個(gè)輸出。CMOS電路中的邏輯門(mén)有非門(mén)、與門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、或門(mén)、異或門(mén)、異或非門(mén)，施密特觸發(fā)門(mén)、緩沖器、驅動(dòng)器等。與非門(mén)則是當輸入端中有1個(gè)或1個(gè)以上是低電平時(shí)，輸出為高電平；只有所有輸入是高電平時(shí)，輸出才是低電平

與非門(mén)芯片：74ls系列：74ls00、74LS20，CMOS系列：CD4011

cmos與非門(mén)電路原理知識

CMOS反相器具有以下的特點(diǎn)：MT28F320J3RG-11MET靜態(tài)功耗低，動(dòng)態(tài)功耗接近邏輯擺：幅約為UD，具南較大悄、邏輯于LSUL電路（低功耗肖特基電路）；擺幅；電路抗干擾能力強；工作速度快，高速CMOS電路的工作速度接近于LSTTL電路；工作電壓范圍寬，4000系列的電源電壓范圍為3N18V，74HC系列的電源電壓范圍為2—6V;工藝復雜，成本高。

以CMOS反相器為基礎，構成的CMOS與非門(mén)電路如圖1所示。它由兩個(gè)P溝道MOS管和兩個(gè)N溝道MOS管構成。負載管P溝道MOS管VT3與VT4并聯(lián)，驅動(dòng)管N溝道MOS管VT1與Vrl3串聯(lián)。該電路具有與非功能，邏輯表達式為F= AB。

以CMOS反相器為基礎，構成的CMOS或非門(mén)電路如圖2所示。它由兩個(gè)P溝道MOS管和兩個(gè)N溝道MOS管構成。負載管P溝道MOS管VT3與VT4串聯(lián)，驅動(dòng)管N溝道MOS管VT1與Vrl2并聯(lián)。該電路具有或非功能，邏輯表達式為F=A+B。

圖1  CMOS與非門(mén)電路

圖2  CMOS或非門(mén)電路

由于組成門(mén)電路的MOS管的串并聯(lián)關(guān)系，會(huì )導致MOS管導通電阻的變化，破壞了CMOS電路的對稱(chēng)性，引起電路噪聲容限的降低，輸出波形不對稱(chēng)。為了解決這些問(wèn)題．在上述基本CMOS門(mén)電路的基礎上，在電路輸入、A輸出端增加反相器，從而構成了帶緩沖的CMOS門(mén)電路。

CMOS與非門(mén)電路輸入管

輸入端CMOS與非門(mén)電路，其中包括兩個(gè)串聯(lián)的N溝道增強型MOS管和兩個(gè)并聯(lián)的P溝道增強型MOS管。每個(gè)輸入端連到一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道MOS管的柵極。當輸入端A、B中只要有一個(gè)為低電平時(shí)，就會(huì )使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導通，輸出為高電平；僅當A、B全為高電平時(shí)，才會(huì )使兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管都導通，使兩個(gè)并聯(lián)的PMOS管都截止，輸出為低電平。

因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即，n個(gè)輸入端的與非門(mén)必須有n個(gè)NMOS管串聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。

cmos與非門(mén)電路真值表、邏輯符號及如何實(shí)現

1、真值表

與非門(mén)真值表

2、邏輯符號

3、如何實(shí)現

開(kāi)關(guān)邏輯圖

CMOS邏輯

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