去耦電路：去耦旁路電路圖分享-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-01-08
去耦電路指的是在多級(jí)放大電路(集成電路芯片內(nèi)部大多也是由各種多級(jí)放大電路組成)的供電電源端對(duì)地所加的旁路電容。其容量大可到幾十、上百微法 ,小也要0.1,0. 01微法。
加這個(gè)電容有什么作用呢?主要是防止來(lái)自直流電源內(nèi)部的禍合使放大器自激,這也就是“去耦”這個(gè)名稱的含意。
去耦電路在電子產(chǎn)品中是應(yīng)用最多的，幾乎所有的多級(jí)放大器、不管是分立器件或集成電路都需要去耦電路。
多個(gè)電容組成的去耦旁路電路
在實(shí)際應(yīng)用中，電容不僅僅是理想的電容C，還具有等效串聯(lián)電阻ESR及等效串聯(lián)電感ESL，如下圖所示為實(shí)際的電容器的簡(jiǎn)化模型：
在高速電路中使用電容需要關(guān)注一個(gè)重要的特性指標(biāo)為電容器的自諧振頻率，電容自諧振頻率公式表示為：
自諧振頻率點(diǎn)是區(qū)分電容器是容性還是感性的分界點(diǎn)，低于諧振頻率時(shí)電容表現(xiàn)為電容特性，高于諧振頻率是電容表現(xiàn)為電感特性，只有在自諧振頻率點(diǎn)附近電容阻抗較低，因此，實(shí)際去耦電容都有一定的工作頻率范圍，只有在其自諧振頻率點(diǎn)附近頻段內(nèi)，電容才具有很好的去耦作用，使用電容器進(jìn)行電源去耦時(shí)需要特別注意這一點(diǎn)。
電容的特性阻抗可表示為：
可見大電容（1uF）的自諧振點(diǎn)低于小電容(10nF)，相應(yīng)的，大電容對(duì)安裝的PCB電路板上產(chǎn)生的寄生等效串聯(lián)電感ESL的敏感度小于小電容。
所以，小電容應(yīng)該盡量靠近IC的電源引腳擺放，大電容的擺放位置相對(duì)寬松一些，但都應(yīng)該盡量靠近IC擺放，不能離IC距離太遠(yuǎn)，超過(guò)其去耦半徑，便會(huì)失去去耦作用。正確方法如下圖：
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