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電路去耦合詳解,電路去耦設(shè)計(jì)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2024-01-08 

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電路去耦合詳解,電路去耦設(shè)計(jì)-KIA MOS管


電路去耦合方法

1. 去耦電容法

去耦電容法是常用的電路去耦合方法。它主要是通過(guò)添加去耦電容,將交流信號(hào)分離開(kāi)來(lái),從而達(dá)到抑制噪聲和干擾的效果。去耦電容一般安裝在信號(hào)源和放大器之間,在信號(hào)源輸入端和輸出端分別添加一個(gè)電容,可以有效抑制信號(hào)源與放大器之間的干擾。


去耦電容的選擇應(yīng)注意以下幾點(diǎn):

(1)電容的容值應(yīng)根據(jù)信號(hào)頻率選擇,一般建議選擇10 Hz以下信號(hào)的容值;

(2)電容的電壓值應(yīng)比最大信號(hào)電壓高10%以上,以確保電容工作安全;

(3)電容的穩(wěn)定性應(yīng)好,阻抗盡量小,以減少信號(hào)損耗。


2. 去耦電阻法

去耦電阻法是另一種常用的電路去耦合方法。它主要是通過(guò)添加去耦電阻,降低信號(hào)源的內(nèi)阻和輸出阻抗,從而減少信號(hào)的干擾。去耦電阻一般安裝在信號(hào)源和放大器之間,在信號(hào)源輸出端和放大器輸入端分別添加一個(gè)電阻。


去耦電阻的選擇應(yīng)注意以下幾點(diǎn):

(1)電阻的阻值應(yīng)根據(jù)信號(hào)源的內(nèi)阻和輸出阻抗來(lái)選擇;

(2)電阻的功率應(yīng)根據(jù)最大輸出功率來(lái)選擇;

(3)電阻的精度應(yīng)較高,以減少信號(hào)損失。


電路去耦合流程

電路去耦合的流程主要包括以下幾個(gè)步驟:

1. 選取合適的去耦電容或去耦電阻;

2. 確定去耦電容或電阻的安裝位置;

3. 計(jì)算電容或電阻的參數(shù)值并進(jìn)行安裝;

4. 測(cè)試電路的信號(hào)輸出質(zhì)量和穩(wěn)定性;

5. 如有需要,可根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。


電路去耦設(shè)計(jì)分享

適當(dāng)?shù)木植咳ヱ钤赑CB上是必不可少的

典型的4層PCB通常設(shè)計(jì)為接地層、電源層、頂部信號(hào)層和底部信號(hào)層。表面貼裝IC的接地引腳通過(guò)引腳上的過(guò)孔直接連接到接地層,從而最大限度地減少接地連接中的無(wú)用阻抗。


電源軌通常位于電源層,并且路由到IC的各種電源引腳。顯示電源和接地連接的簡(jiǎn)單IC模型如圖所示。

電路去耦

圖. 顯示走線阻抗和局部去耦電容的IC模型


IC內(nèi)產(chǎn)生的電流表示為IT。流過(guò)走線阻抗Z的電流產(chǎn)生電源電壓VS的變化。如上所述,根據(jù)IC的PSR,這會(huì)產(chǎn)生各種類型的性能降低。


通過(guò)使用盡可能短的連接,將適當(dāng)類型的局部去耦電容直接連接到電源引腳和接地層之間,可以最大限度地降低對(duì)功率噪聲和紋波的靈敏度。去耦電容用作瞬態(tài)電流的電荷庫(kù),并將其直接分流到地,從而在IC上保持恒定的電源電壓。雖然回路電流路徑通過(guò)接地層,但由于接地層阻抗較低,回路電流一般不會(huì)產(chǎn)生明顯的誤差電壓。


圖2顯示了高頻去耦電容必須盡可能靠近芯片的情況。否則,連接走線的電感將對(duì)去耦的有效性產(chǎn)生不利影響。

電路去耦

圖. 高頻去耦電容的正確和錯(cuò)誤放置


圖左側(cè),電源引腳和接地連接都可能短,所以是最有效的配置。然而在圖右側(cè)中,PCB走線內(nèi)的額外電感和電阻將造成去耦方案的有效性降低,且增加封閉環(huán)路可能造成干擾問(wèn)題。


選擇正確類型的去耦電容

低頻噪聲去耦通常需要用電解電容(典型值為1μF至100μF),以此作為低頻瞬態(tài)電流的電荷庫(kù)。將低電感表面貼裝陶瓷電容(典型值為0.01μF至0.1μF)直接連接到IC電源引腳,可最大程度地抑制高頻電源噪聲。所有去耦電容必須直接連接到低電感接地層才有效。此連接需要短走線或過(guò)孔,以便將額外串聯(lián)電感降至最低。


大多數(shù)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)在應(yīng)用部分說(shuō)明了推薦的電源去耦電路,用戶應(yīng)始終遵循這些建議,以確保器件正常工作。


鐵氧體磁珠(以鎳、鋅、錳的氧化物或其他化合物制造的絕緣陶瓷)也可用于在電源濾波器中去耦。鐵氧體在低頻下(<100kHz)為感性—因此對(duì)低通LC去耦濾波器有用。100kHz以上,鐵氧體成阻性(低Q)。鐵氧體阻抗與材料、工作頻率范圍、直流偏置電流、匝數(shù)、尺寸、形狀和溫度成函數(shù)關(guān)系。


鐵氧體磁珠并非始終必要,但可以增強(qiáng)高頻噪聲隔離和去耦,通常較為有利。這里可能需要驗(yàn)證磁珠永遠(yuǎn)不會(huì)飽和,特別是在運(yùn)算放大器驅(qū)動(dòng)高輸出電流時(shí)。當(dāng)鐵氧體飽和時(shí),它就會(huì)變?yōu)榉蔷€性,失去濾波特性。


請(qǐng)注意,某些鐵氧體甚至可能在完全飽和前就是非線性。因此,如果需要功率級(jí),以低失真輸出工作,當(dāng)原型在此飽和區(qū)域附近工作時(shí),應(yīng)檢查其中的鐵氧體。典型鐵氧體磁珠阻抗如圖所示。

電路去耦

圖. 鐵氧體磁珠的阻抗

在為去耦應(yīng)用選擇合適的類型時(shí),需要仔細(xì)考慮由于寄生電阻和電感產(chǎn)生的非理想電容性能。


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