MOSFET搭建電源緩啟動電路分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-12-14
電源在進(jìn)行插拔時，會有如下兩種情況出現(xiàn)：
1、電源連接器的機(jī)械觸點在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳；
2、由于系統(tǒng)大容量儲能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)中會出現(xiàn)很大的沖擊電流
上述兩種情況可能會引起連接器打火，引發(fā)火災(zāi)；也可能會引起系統(tǒng)電源跌落，導(dǎo)致誤碼或系統(tǒng)重啟。
MOS管
MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動簡單的特點，利用其米勒效應(yīng)，在電路設(shè)計中可以設(shè)計電源緩啟動電路（通常情況下，在正電源中用PMOS，在負(fù)電源中使用NMOS），可以實現(xiàn)防抖動延時上電、控制輸入電流的上升斜率和幅值等功能，提高電源穩(wěn)定性。
電源緩啟動電路分析
下圖是用 NMOS 搭建的一個 -48V 電源緩啟動電路：
1）D1是嵌位二極管，防止輸入電壓過大損壞后級電路；
2）R2和C1的作用是實現(xiàn)防抖動延時功能；
3）R1的作用是給C1提供一個快速放電通道，要求R1的分壓值大于D3的穩(wěn)壓值;
4）R3和C2用來控制上電電流的上升斜率；
5）R4和R5的作用是防止MOS管自激振蕩，要求R4、R5<<R3;
6）嵌位二極管D3的作用是保護(hù)MOS管Q1的柵-源極不被高壓擊穿；
D2的作用是在MOS管導(dǎo)通后對R2、C1構(gòu)成的防抖動延時電路和R3、C2構(gòu)成的上電斜率控制電路進(jìn)行隔離，防止MOS柵極充電過程受C1的影響。
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