【硬件電路】RC吸收電路設(shè)計(jì)圖文-KIA MOS管

RC吸收電路也叫RC緩沖電路，它是電阻Rs與電容Cs串聯(lián)，并與開(kāi)關(guān)并聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。用于改進(jìn)電力電子器件開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)刻所承受的電壓、電流波形。

PWM  DC/DC變換器中吸收電路的主要作用如下：

將開(kāi)關(guān)管的電壓、電流和功耗限制在安全工作區(qū)域（SOA）以?xún)?nèi)。

保證開(kāi)關(guān)管在開(kāi)、關(guān)過(guò)程中du/dt、di/dt足夠小，限制開(kāi)關(guān)管上的電壓或電流峰值，從而保證開(kāi)關(guān)管正確可靠地運(yùn)行；并降低EMI的水平。

限制開(kāi)關(guān)功耗，并將它轉(zhuǎn)移，使開(kāi)關(guān)管器件的結(jié)溫不超過(guò)規(guī)定值。

使PWM  DC/DC變換器中的二極管開(kāi)關(guān)過(guò)程減慢，其正向恢復(fù)電壓或反向恢復(fù)電流不影響功率開(kāi)關(guān)管的安全運(yùn)行。

傳統(tǒng)RC吸收電路一直是為防止雙極型功率晶體管二次擊穿所采用的方法。在控制快恢復(fù)整流管的dv/dt以減少EMI輻射方面也很有用。它的設(shè)計(jì)很重要，因?yàn)樵O(shè)計(jì)得不合適，會(huì)使吸收電路有很大損耗。

然而吸收電路的設(shè)計(jì)主要還是靠經(jīng)驗(yàn)而不是理論計(jì)算，這是由于需要吸收電路去改善的波形主要是由電路中存在的寄生元件引起的。

吸收電路應(yīng)該在電路實(shí)際搭建好以后才設(shè)計(jì)，即從已確定的印制電路板、變壓器、功率開(kāi)關(guān)以及整流器的參數(shù)來(lái)構(gòu)建吸收電路雛形，這樣寄生參數(shù)就很接近實(shí)際情況。

RC吸收電路如下圖所示：

RC吸收電路的經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)步驟如下：

1、測(cè)量未接吸收電路時(shí)振蕩信號(hào)周期1/fo。

2、將高頻電容（陶瓷或薄膜）跨接在變壓器一次繞組、整流管或要吸收的器件上。確定電容的值使振蕩周期是原來(lái)周期的三倍（Co）。

3、與電容串聯(lián)的電阻值大約是 R = 1 / (2*π*fo*Co)

有很多R和C的組合可以產(chǎn)生滿意的波形，但上述R和C的值應(yīng)該產(chǎn)生最少損耗和最有效的值。如果要改變這些值，越大的電阻和越小的電容產(chǎn)生越小的損耗。

MOS管的RC吸收

下圖是最常用的RC緩沖電路及僅采用該電路時(shí)的SW點(diǎn)波形。該電路可以減小乃至消除寄生電感L2和VQ2體二極管反向恢復(fù)等效電容之間的諧振。緩沖電容C的值必須大于反向恢復(fù)等效電容的值，但又不能選擇太大，否則會(huì)使R上損耗增加。

無(wú)吸收電路、電容吸收、RC吸收對(duì)應(yīng)波形的比較：

吸收電路對(duì)VDS的影響

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