【常用電路】電池包電壓檢測(cè)電路圖-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-09-28
設(shè)計(jì)一個(gè)電池包電壓檢測(cè)電路，并不是直接電阻分壓后傳入單片機(jī)的 AD 檢測(cè)口就好了，還需要考慮一個(gè)問(wèn)題：檢測(cè)電路的電阻不能太小，否則如果該電路一直對(duì)接著電池包的輸出，會(huì)一直消耗著電池包的電量，如果長(zhǎng)期這樣耗著，甚至?xí)?dǎo)致電池包過(guò)放損壞。
本文的電路就是為了應(yīng)對(duì)這個(gè)場(chǎng)景，常用在充電器、BMS 等檢測(cè)電池包的場(chǎng)合，當(dāng)然，如果類似場(chǎng)景也同樣適用。
其實(shí)就是使用了一個(gè) NMOS管串聯(lián)其中，利用NMOS管導(dǎo)通時(shí)非常小的阻抗和不導(dǎo)通時(shí)非常大的阻抗這個(gè)特性實(shí)現(xiàn)的。
具體分析如下：
當(dāng)我們不檢測(cè)電池包電壓時(shí)，我們希望電池包的電消耗很慢。所以，我們讓對(duì)應(yīng)單片機(jī) IO 口輸出低電平時(shí)，此時(shí)NMOS管不能導(dǎo)通，表現(xiàn)為一個(gè)很大的電阻，最大程度減少電池包電量的損耗。
如下圖：
當(dāng)我們要檢測(cè)電池包電壓時(shí)，我們讓對(duì)應(yīng)單片機(jī) IO 口輸出高電平時(shí)，此時(shí) NMOS管導(dǎo)通，表現(xiàn)為一個(gè)很小的電阻，相當(dāng)于沒(méi)有，讓電阻分壓的比例符合設(shè)置的比例。
如下圖：
注意事項(xiàng):
雖然這個(gè)電路看起來(lái)很簡(jiǎn)單，但是有一個(gè)非常值得注意的地方，就是 NMOS 管的導(dǎo)通壓降。
現(xiàn)在常用的單片機(jī)電壓是 3.3V 和 5V，這里為什么沒(méi)有選用 3.3V 呢？ 那我們就用3.3V試一下，效果如下：
由結(jié)果可知，得到的電壓值不對(duì)，不符合電阻分析比例，說(shuō)明 NMOS管 M1 沒(méi)有完全導(dǎo)通。
這是是什么原因呢？ 查看規(guī)格書(shū)，看到關(guān)鍵的導(dǎo)通參數(shù)：
意思就是說(shuō)：只有GS兩端電壓到達(dá)2V以上，才能保證 M1 管徹底導(dǎo)通。所以很明顯了，正常情況下此處的 AD 采樣點(diǎn)為1.9V，如果要 Vgsth 要大于2V，需要提供 3.9V 的電壓，而此時(shí)只有3.3V 顯然不夠。
如何解決這個(gè)問(wèn)題呢？
1、選擇IO有 5V 輸出的單片機(jī)（一般供電電壓為5V）。
2、如果非要選擇3.3V的單片機(jī)，可以選擇 gs 間導(dǎo)通壓降比較小的管子。或者，增加一個(gè)三極管電路放大 3.3V 電壓。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。
