運(yùn)放電流檢測電路-高端檢測、低端檢測電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-27
運(yùn)放電流檢測，檢測方式有高端檢測和低端檢測兩種運(yùn)放電路。
高端運(yùn)放電流檢測
優(yōu)點：可以檢測區(qū)分負(fù)載是否短路
無地電平干擾
缺點：共模電壓高，使用非專用分立器件設(shè)計較復(fù)雜、成本高、面積大
低端運(yùn)放電流檢測
優(yōu)點：共模電壓低，可以使用低成本的普通運(yùn)算放大器
缺點：檢流電阻引入地電平干擾，電流越大地電位干擾越明顯，有時甚至?xí)绊懾?fù)載
舉一個例子，LMV321芯片，我們對負(fù)載進(jìn)行取樣，使用datasheet數(shù)據(jù)手冊查找此芯片數(shù)據(jù)手冊。
此處是低端電流取樣檢測，根據(jù)運(yùn)放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1.
然后我們算V+=mos流過電阻電流*R2 ，整理公式：mos流過電流電阻電流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。
這里高端電流采樣，根據(jù)虛短虛短關(guān)系列出關(guān)系式：（VOUT-V）R06-=(V-V)/R05，V+/R02=（VCC-V+）/R03，注意R06=R02，R05=R03，這里對稱，V-VCC=采樣電流I*R04。
整理最后一項公式得出采樣電流I=VOUT*R05/(R06+R04).
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