分析恒流源做電子負(fù)載、恒流電子負(fù)載電路圖-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-09-07
上圖為三并聯(lián)運(yùn)放后接六個(gè)MOS管，此MOS管并聯(lián)結(jié)構(gòu)當(dāng)單獨(dú)一個(gè)MOS管燒壞（大功率MOS燒熱不夠自然會(huì)燒壞）以后其它MOS管不受影響。
單獨(dú)拿出一個(gè)運(yùn)放來(lái)分析：
前級(jí)同向端輸入電壓信號(hào)給LM324,運(yùn)放負(fù)自身負(fù)反饋需要?jiǎng)討B(tài)平衡，此時(shí)，同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓，R1采樣電阻上流過(guò)的恒定電流，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)控制恒流功能。
（1）C1為消振電容：電容滯后補(bǔ)償電路消除自激振蕩。（此種分析應(yīng)從MOS開(kāi)關(guān)頻率，和其產(chǎn)生功率來(lái)分析較復(fù)雜）
（2）R4對(duì)運(yùn)放起到保護(hù)作用：MOS內(nèi)由于自身物理結(jié)構(gòu)，會(huì)有寄生電容存在，容量大概在1000PF左右（集成型的MOS管由內(nèi)部由上千個(gè)MOS管并聯(lián)組成？總和容值應(yīng)該有這么大吧？），當(dāng)MOS管瞬間開(kāi)關(guān)時(shí)MOS管寄生電容會(huì)耦合測(cè)試電源的強(qiáng)電干擾，從而損壞前級(jí)運(yùn)放，所以加一個(gè)電阻。
（3）R6對(duì)運(yùn)放起保護(hù)作用：當(dāng)MOS管由于功率過(guò)大，散熱不夠，MOS管燒壞，導(dǎo)致MOS管DS端短路，此時(shí)如果沒(méi)有電阻保護(hù)運(yùn)放反向端，直接給運(yùn)放反相端加上測(cè)試電源電壓，運(yùn)放將損壞。
總結(jié)：CFA(Current Feedback Amplifier 電流反饋放大器)，沒(méi)有傳統(tǒng)的差分放大器那樣的輸入結(jié)構(gòu)，因此就失去了這一結(jié)構(gòu)所固有的參數(shù)匹配的特性。CFA無(wú)法像VFA（電壓反饋放大器）那樣的精度，卻可以得到更高的的帶寬和擺速。消振電容和反饋電容消除了反饋系統(tǒng)的不穩(wěn)定因素（過(guò)沖和零振），但同時(shí)形成了一個(gè)RC濾波器，降低了運(yùn)放的頻率響應(yīng)。可見(jiàn)魚(yú)與熊掌不可兼得，均衡選取，才能的到適合整個(gè)系統(tǒng)的方案。
輸入高電壓與高輸入阻抗不能同時(shí)兼容：
使用萬(wàn)用表時(shí)，我們都聽(tīng)說(shuō)過(guò)萬(wàn)用表的電壓檔是輸入阻抗無(wú)窮大，但是由于物理工藝的制作，很難達(dá)到高輸入阻抗和輸入高電壓。嘗試將電壓檔切換到最大量程，再使用另一萬(wàn)用表測(cè)試測(cè)試的萬(wàn)用表的電阻，此時(shí)將不是輸入阻抗無(wú)窮大。
電路原理
電路如下圖所示。VT4提供整個(gè)電路的2.5V基準(zhǔn)電壓。IClA、R9、VT1、VT2等組成開(kāi)關(guān)式恒流電路。
圖中的S1為負(fù)載開(kāi)關(guān)，斷開(kāi)S1即可斷開(kāi)整個(gè)負(fù)載。
圖中的N1B為準(zhǔn)恒流源電路，使432產(chǎn)生1.25V基準(zhǔn)，使輸入電壓變化時(shí)，432上的電流基本保持不變。作為CC模式時(shí)，R8為電流取樣電阻，進(jìn)行電流反饋，使負(fù)載電流恒定。R6電阻為粗調(diào)，R7電阻為細(xì)調(diào)。
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