【集成電路】MOS管的亞閾值區(qū)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-07
Vds與Vdsat的關(guān)系
Vds > Vdsat時(shí)，region變?yōu)?，為了保證PVT下電路仍處于飽和區(qū)，需要讓Vds -Vdsat大于某個(gè)經(jīng)驗(yàn)值。
作圖步驟詳見前文
在長溝道工藝（大約是大于4um）中，Vdsat=Vov， 過驅(qū)動電壓Vov=Vgs-Vth，當(dāng)Vds > Vdsat時(shí)，MOS管的溝道夾斷（pinch off），電流飽和。
但在先進(jìn)工藝中，Vdsat偏離了Vov，也就是小于Vov，這是因?yàn)樗俣蕊柡托?yīng)，Vds達(dá)到Vdsat而還沒有達(dá)到Vov時(shí)，電流就飽和了。此時(shí)，溝道還沒有夾斷。
速度飽和效應(yīng)：溝道場強(qiáng)
足夠強(qiáng)時(shí)，多子漂移速度為
也就是速度達(dá)到飽和，為定值Vsat，平方律公式變?yōu)榱艘淮蔚摹?/span>
使管子工作在亞閾值區(qū)的目的：
相同電流下，亞閾值區(qū)的Vdsat小，gm小，等效輸入噪聲電壓小，但同時(shí)W/L大，電容大。
Vgs<Vth約100mV，Vds>3VT【VT=0.026V】，是亞閾值區(qū)的飽和區(qū)，這時(shí)擴(kuò)散電流為主。
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