結型場(chǎng)效應管-結型場(chǎng)效應管結構和符號、特性曲線(xiàn)-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2017-07-17
1.構造與符號
結型場(chǎng)效應管的構造表示圖及其表示符號如圖2-31所示。
在圖2-31(a)中,s表示Source,源極;D表示Drain,漏極;G表示Gate,柵極。在漏極和源極之間加上一個(gè)正向電壓后,N型嗲電子半導體中的多數載流子(電子)便能夠導電了。這種導電溝道是N型的場(chǎng)效應管,稱(chēng)為N溝道結型場(chǎng)效應管。
圖2-31 (b)中的場(chǎng)效應管在P型硅棒的兩側制成了高摻雜的N型區(N+),其導電溝道為P型,多數載流子為空穴。
1)轉移特性曲線(xiàn)
轉移特性曲線(xiàn)表達當UDS一定時(shí),柵源電壓Ucs對漏極電流iD的控制造用,即
理論剖析和實(shí)測結果標明,iD與ucs契合平方律關(guān)系,即
式中,IDSS為飽和電流,表示UGS=o時(shí)的iD值;UP為夾斷電壓,表示UGS=Up時(shí)iD為零。
由此可見(jiàn),結型MOS場(chǎng)效應管轉移特性曲線(xiàn)是用來(lái)闡明在一定的漏源電壓u陌時(shí),柵源電壓UGS和漏極電流iD之間變化關(guān)系的曲線(xiàn)。JFET的轉移特性曲線(xiàn)如圖2-32所示。
為了使輸入阻抗大(不允許呈現柵流ic),也為了使柵源電壓對溝道寬度及漏極電流有效地停止控制,PN結一定要反偏,因而在N溝道JFET中,uGS必需為負值。
2、輸出特性曲線(xiàn)
輸出特性曲線(xiàn)表達當柵源電壓UGS,不變時(shí),漏極電流iD與漏源電壓UDS的關(guān)系,即
由此可見(jiàn),輸出特性曲線(xiàn)表示的足以Ucs為參變量時(shí)iD與UDS的關(guān)系。JFET的輸出特性曲線(xiàn)如圖2-33所示,依據特性曲線(xiàn)的各局部特征,能夠將其分為四個(gè)區域,如圖中所示。
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