n溝道和p溝道增強型mos管的工作原理 場(chǎng)效應mos管
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-17
絕緣柵型場(chǎng)效應管的構造表示圖如圖2-34所示。
N溝道加強型MOSFET的溝道構成及符號如圖2-35所示，其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質(zhì)濃度較低的P型半導體襯底上制造兩個(gè)高濃度的N型區，并分別將它們作為源極s和漏極D，然后在襯底的外表制造一層Si02絕緣層，并在上面引出一個(gè)電極作為柵極G。圖2-35(b)所示是其在電路中的符號。
N溝道加強型MOSFET的轉移特性曲線(xiàn)如圖2-36所示。
式中，UT為開(kāi)啟電壓（或閾值電壓）；μn為溝道電子運動(dòng)的遷移率；Cox為巾位面積柵極電容；W為溝道寬度；疋為溝道長(cháng)度；W/L為MOSFET的寬長(cháng)比。在MOSFET集成電路設計中，寬長(cháng)比是一個(gè)極為重要的參數。
N溝道MOS管的輸出特性曲線(xiàn)如圖2-37所示。與結型場(chǎng)效應管的輸出特性相似，它也分為恒流區、叮變電阻區、截止區和擊穿區。其特性如下所示。
①截止區：UGS≤UT，導電溝道未構成，iD=0。
②恒流區：
·曲線(xiàn)距離平均，UGS對iP的控制才能強；
·UDS對iD的控制才能弱，曲線(xiàn)平整；
·進(jìn)入恒流區的條件，即預災斷條件為UDS≥UCS-UT。
③可變電阻區：
可變電阻區的電流方程為
因而，可變電阻區的輸出電阻rDS為
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