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這些接法你知道嗎?場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法,秒懂-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2020-10-28 

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這些接法你知道嗎?場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法,秒懂-KIA MOS管


場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法

舉例說(shuō)明,下圖是一個(gè)通俗、簡(jiǎn)單的場(chǎng)效應管驅動(dòng)LED的電路圖,左圖為N溝道場(chǎng)效應管(型號IRF630) , 右圖為P溝道場(chǎng)效應管(型號IRF9640) , 電源電壓12V ,具體到實(shí)際電路中,圖中電阻等元件可以根據實(shí)際電路更換相關(guān)阻值,從圖中可以初步了解場(chǎng)效應管做開(kāi)關(guān)電路的接法。下面簡(jiǎn)要說(shuō)明。


場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法


場(chǎng)效應管,英文縮寫(xiě)MOSFET ,一般有3個(gè)管腳。依內部PN結方向的不同, MOSFET分為N溝道型(上圖)和P溝道型(下圖) , 如下面圖所示,一般使用N溝道型可帶來(lái)便捷性。


場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法


場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法


N溝道MOSFET管用法: (柵極G高電平D與S間導通,柵極G低電平D與S間截止, P溝道與之相反);柵極/基極(G)接控制信號,源極(S)接負載電源負極(模擬地) ,漏極(D)接負載輸出負極,負載輸入正極直接接負載電源正極。


當柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開(kāi)啟電壓(通常為1.2V ) , 源極(S)到漏極(D)導通,導通電流很小,可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載負極被連通負載電源負極,負載工作。


當柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開(kāi)啟電壓時(shí),源極(S)到漏極(D)電阻極大,可以認為源極(S)到漏極([D)斷路,則負載負極被負載電源正極拉高,負載不工作。( 這里只用最易理解的語(yǔ)言說(shuō)說(shuō)用法,事實(shí)上MOSFET的開(kāi)啟和關(guān)閉取決于柵極/基極(G)和源極(S)之間的正壓差)


這樣,我們只要控制MOSFET的柵極/基極(G)電壓有無(wú),即可控制負載的工作與不工作,形成一個(gè)開(kāi)關(guān)效應。MOSFET管的開(kāi)關(guān)時(shí)間非常快,一般在納秒極 ,你就認為是瞬間開(kāi)啟/關(guān)閉就可以了,在MOSFET管內部是沒(méi)有延遲的。


由于MOSFET管的快速開(kāi)關(guān)特性,使用高頻PWM方波信號對其柵極/基極(G)進(jìn)行控制,可以在輸出端獲得超高速切換的平均電壓,這個(gè)平均電壓取決于PWM波的占空比。這就是UBEC或者電調等模型設備的降壓和調速原理。這種高頻開(kāi)關(guān)降壓方法幾乎沒(méi)有能量損失,效率一般在95%以上。


場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法

P溝道MOSFET管用法: (柵極G高電平D與S間截止,柵極G低電平D與S間導通);柵極/基極(G)接控制信號,源極(S)接負載電源正極,漏極(D)接負載輸入正極,負載輸出負極直接接負載電源負極(模擬地)。


當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負載電源電壓) 1.2V以上時(shí),源極(S)到漏極(D)導通,導通電流很小,可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載正極被連通負載電源正極,負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于源極(S)電壓(負載電源電壓)不足1.2V ,或柵極/基極(G)電壓大于等于源極(S)電壓時(shí),源極(S)到漏極(D)電阻極大,可以認為源極(S)到漏極(D)斷路,則負載不工作。


MOSFET場(chǎng)效應管做為快速開(kāi)關(guān)元件的用法就簡(jiǎn)單說(shuō)到這里,復雜理論先不說(shuō)它,知道怎么用就行了。如果僅僅是做為電子開(kāi)關(guān)使用,也可以簡(jiǎn)單用三極管代替MOSFET管, 只不過(guò)三極管的效率、開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)可靠性遠不如MOSFET管。


場(chǎng)效應管有共源、共漏接法(與晶體管放大電路共射、共集接法相對應)。柵極/基極(G)接控制信號,源極(S)接負載電源負極(模擬地),漏極(D)接負載輸出負極,負載輸入正極直接接負載電源正極。


場(chǎng)效應管的簡(jiǎn)單接法


當柵極/基極(G)電壓大于MOSFET管開(kāi)啟電壓(通常為1.2V),源極(S)到漏極(D)導通,導通電流很小,可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。這樣負載負極被連通負載電源負極,負載工作。當柵極/基極(G)電壓小于MOSFET管開(kāi)啟電壓時(shí),源極(S)到漏極(D)電阻極大,可以認為源極(S)到漏極(D)斷路,則負載負極被負載電源正極拉高,負載不工作。


擴展資料:

場(chǎng)效應管使用注意事項

(1)為了安全使用場(chǎng)效應管,在線(xiàn)路的設計中不能超過(guò)管的耗散功率,最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。


(2)各類(lèi)型場(chǎng)效應管在使用時(shí),都要嚴格按要求的偏置接入電路中,要遵守場(chǎng)效應管偏置的極性。如結型場(chǎng)效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,等等。


(3)MOS場(chǎng)效應管由于輸入阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應管放入塑料盒子內,保存時(shí)最好放在金屬盒內,同時(shí)也要注意管的防潮。


(4)為了防止場(chǎng)效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線(xiàn)路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線(xiàn)端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉。



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