帶你看明白MOSFET參數-MOSFET特性參數的理解-KIA MOS管

MOSFET特性參數

MOS場(chǎng)效應晶體管通常簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應管，是一種應用場(chǎng)效應原理工作的半導體器件，和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來(lái)越普遍的應用。你了解MOSFET特性參數嗎？下面讓我們一起來(lái)詳細了解吧。

1.絕對最大額定值

任何情況下都不允許超過(guò)的最大值

2.額定電壓

VDSS:漏極(D)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。

VGss :柵極(G)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。

3.額定電流

ID(DC):漏極允許通過(guò)的最大直流電流值

此值受到導通阻抗、封裝和內部連線(xiàn)等的制約，TC=25°C (假定 封裝緊貼無(wú)限大散熱板)

ID(Pulse) :漏極允許通過(guò)的最大脈沖電流值

此值還受到脈沖寬度和占空比等的制約

4.額定功耗

PT :芯片所能承受的最大功耗。其測定條件有以下兩種

TC=25℃的條件...緊接無(wú)限大放熱板，封裝

C: Case的簡(jiǎn)寫(xiě),背面溫度為25℃(圖1)

TA=25℃的條件...直立安裝不接散熱板

A: Ambient的簡(jiǎn)寫(xiě)，環(huán)境溫度為25 C (圖2)

5.額定溫度

Tch : MOSFET的溝道的上限溫度，一般Tch≤150C℃

Tstg : MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的產(chǎn)品，其保存溫度范圍為最低-55℃,最高150℃

6.熱阻

表示熱傳導的難易程度。熱阻值越小，散熱性能越好。如果使用手冊上沒(méi)有注明熱阻值時(shí)，可根據額定功耗PT及Tch將其算出。

溝道/封裝之間的熱阻(有散熱板的條件)

7.安全動(dòng)作區SOA

SOA=Safe Operating Area或AOS=Area of Safe Operating

正偏壓時(shí)的安全動(dòng)作區

8.抗雪崩能力保證

對馬達、線(xiàn)圈等電感性負載進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，關(guān)斷的瞬間會(huì )有感生電動(dòng)勢產(chǎn)生。

電路比較

(1)以往產(chǎn)品(無(wú)抗雪崩保證)的電路必須有吸收電路，以保證瞬間峰值電壓不會(huì )超過(guò)VDss。

(2)有抗雪崩能力保證的產(chǎn)品，MOSFET自身可以吸收瞬間峰值電壓而無(wú)需附加吸收電路。

抗雪崩能力保證定義

單發(fā)雪崩電流IAS:下圖中的峰值漏極電流

單發(fā)雪崩能量EAS:一次性雪崩期間所能承受的能量，以Tch≤150℃為極限

連續雪崩能量EAR:所能承受的反復出現的雪崩能量，以Tch≤150℃為極限

MOSFET特性參數：怎樣選擇MOSFET的額定值

器件的額定-電壓值：應高于實(shí)際最大電壓值20%；電流值：應高于實(shí)際最大電流值20%；功耗值：應高于實(shí)際最大功耗的50%，而實(shí)際溝道溫度不應超過(guò)-125℃

上述為推薦值。實(shí)際設計時(shí)應考慮最壞的條件。如溝道溫度Tch從50℃提高到100℃時(shí)，推算故障率降提高20倍。

在MOS管選擇方面，系統請求相關(guān)的幾個(gè)重要參數是：

1． 負載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能；

2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負載占空比才能限制；

3． mos開(kāi)關(guān)頻率FS。這個(gè)參數影響MOSFET開(kāi)關(guān)霎時(shí)的耗散功率；

4． MOSFET最大允許工作溫度。這要滿(mǎn)足系統指定的牢靠性目的。

MOSFET設計選擇：

一旦系統的工作條件（負載電流，開(kāi)關(guān)頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數方面的選擇如下：

1 RDSON的值。最低的導通電阻，能夠減小損耗，并讓系統較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。

2 散熱。假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢(qián)取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運用外表貼裝MOSFET到達同樣效果。

3 MOSFET組合。假如板上空間允許，有時(shí)分，能夠用兩個(gè)較高RDSON的器件并聯(lián)，以取得相同的工作溫度，并且本錢(qián)較低。

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