科普分享|FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的區別-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-11-19
今天給大家推一篇關(guān)于FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的區別！
FET，場(chǎng)效應晶體管，Field Effect Transistor，簡(jiǎn)單理解就是個(gè)水管閥門(mén)。
關(guān)上
打開(kāi)
FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;
柵極（Gate），是個(gè)門(mén)，閥門(mén)，打開(kāi)FET，電子就流動(dòng)，關(guān)上閥門(mén)，電子就不流動(dòng)。
漏極（Drain），電子流出FET；
電子是負電荷，所以，是從GND流到Vcc的
MOSFET，Y2T149聊到MOS是個(gè)電容，MOSFET叫做金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管
（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
是現在數字半導體芯片常用的結構：
MESFET金屬半導體場(chǎng)效應晶體管Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect
Transistor，用在第一代模擬或者射頻電路上。
MODFET調制摻雜場(chǎng)效應晶體管Modulation Doped Field Effect Transistor,MODFET
MOSFET、與MODFET/MESFET最大的區別在于柵極的控制；
MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導體（電容）做柵極；
MODFET/MESFET是用金屬-半導體接觸（肖特基二極管），用二極管做柵極。速度比MOS要快，可以用在高速電路上。
MOS相當于塑料閥門(mén)頭，MES/MOD是銅閥門(mén)頭
那MESFET和MODFET的區別
MODFET有異質(zhì)結，形成一個(gè)二維層，叫二維電子氣(Two-dimensional electron gas,
2DEG)是指電子氣可以自由在二維方向移動(dòng)，而在第三維上受到限制的現象。
小結：
FET 就是水管子閥門(mén)
MOSFET 是塑料閥門(mén)
MESFET是銅閥門(mén)
MODFET不光是銅閥門(mén)，還用了陶瓷閥芯
MESFET截止頻率比MOSFET高三倍
MODFET截止頻率比MESFET高30%
學(xué)術(shù)解釋?zhuān)?/strong>
所有場(chǎng)效應晶體管(FET)的輸出特性均相似。低漏偏壓時(shí)存在一線(xiàn)性區。偏壓變大時(shí)，輸出電流最終達到飽和；電壓足夠高時(shí)，漏端將發(fā)生雪崩擊穿。根據閾值電壓的正或負，場(chǎng)效應晶體管可分為增強型(常斷模式)或耗盡型(常通模式)。金屬?半導體接觸是MESFET與MODFET器件的基本結構。使用肖持基勢壘作為柵極、兩個(gè)歐姆接觸作為源極與漏極。
MODFET器件高頻性能更好。器件結構上除柵極下方的異質(zhì)結外，大體上與MESFET相似。異質(zhì)結界面上形成二維電子氣(亦即可傳導的溝道)，具有高遷移率與高平均漂移速度的電子可通過(guò)溝道由源極漂移到漏極。
截止頻率fT是場(chǎng)效應晶體管的一個(gè)高頻指標。在給定長(cháng)度時(shí)，Si MOSFET(n型)的fT最低，GaAs MESFET的fT比硅約高三倍。常用GaAs MODFET與贗晶SiGe MODFET的fT 比GaAs MESFET約高30％。
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