500v功放管mos參數選型及MOS管原廠(chǎng)制造-mos功放優(yōu)缺點(diǎn)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-05-24
KIA半導體供應500v功放管mos，先來(lái)看看功放管的分類(lèi)：A類(lèi)功放（又稱(chēng)甲類(lèi)功放） A類(lèi)功放輸出級中兩個(gè)（或兩組）晶體管永遠處于導電狀態(tài)，也就是說(shuō)不管有無(wú)訊號輸入它們都保持傳導電流，并使這兩個(gè)電流等于交流電的峰值，這時(shí)交流在最大訊號情況下流入負載。當無(wú)訊號時(shí)，兩個(gè)晶體管各流通等量的電流，因此在輸出中心點(diǎn)上沒(méi)有不平衡的電流或電壓，故無(wú)電流輸入揚聲器。當訊號趨向正極，線(xiàn)路上方的輸出晶體管容。
晶體管類(lèi)型 PNP - Darlington
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 100V
電流 - 集電極 (Ic)（最大） 10A
功率 - 最大 125W
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大） 2V @ 10mA, 5A
電流 - 集電極截止（最大） 2mA
下面是500v功放管mos的參數選型表：
|
Part Number |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KIA5N50H |
5 |
500 |
1.25 |
1.5 |
525 |
|
KIA840S |
8 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KIA4750S |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX4850A |
9 |
500 |
0.7 |
0.9 |
960 |
|
KNX6450A |
13 |
500 |
0.4 |
0.48 |
2149 |
|
KNX6650A |
15 |
500 |
0.33 |
0.45 |
2148 |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.25 |
0.32 |
2500 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.21 |
0.26 |
2700 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.16 |
0.2 |
3500 |
|
KNX7650A |
25 |
500 |
0.17 |
0.21 |
4280 |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.15 |
0.2 |
4150 |
500v功放管mos原廠(chǎng)供應商介紹，KIA半導體主營(yíng)半導體產(chǎn)品豐富，是一家國產(chǎn)MOS管廠(chǎng)家。專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、超結場(chǎng)效應管、碳化硅二極管、碳化硅場(chǎng)效應管、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
覆蓋領(lǐng)域：工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源，也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品及新型領(lǐng)域。
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1、MOS 管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。以運放的輸出作為OCL 的輸入，到達抑止零點(diǎn)漂移的效果。
2、中音厚，沒(méi)有三極管那么大的交越失真。
電流推進(jìn)級通常由一至二級組成，為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數，常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流，這樣本級不會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真，由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區，所以電流輸出級也一直處于放大區，因而輸出級同樣不會(huì )產(chǎn)生開(kāi)關(guān)失真和交越失真。
3、MOS管的線(xiàn)性比晶體管好。
1、低頻的溫和度比晶體管功放差，MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞,MOSFET場(chǎng)效應晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點(diǎn)。但運用不久發(fā)現這種功放的牢靠性不高（無(wú)法外電路維護），開(kāi)關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破，呈現了一種高速MOSFET大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應晶體管。
西班牙藝格公司（ECLER）經(jīng)多年研討，攻克了非毀壞性維護系統的SPM專(zhuān)利技術(shù)，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)分離的第3代功放產(chǎn)品，在歐洲市場(chǎng)上取得了認可，并逐漸在世界上得到了應用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，此外MOSFET開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應管容易被輸出和輸入過(guò)載損壞。
2、開(kāi)啟電壓太高。
3、偏流開(kāi)很大，還是有一定的交越失真,沒(méi)交越失真，差不多能夠趕上三極管的甲類(lèi)輸出功耗。
4、MOS管不好配對在同一批次管，相對來(lái)說(shuō)要好配對一點(diǎn)。
5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽(tīng)出所謂電子管音色有一個(gè)簡(jiǎn)單方法，把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET，JFET才真正具有電子管音色。
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