國產(chǎn)快恢復二極管選型/封裝/價(jià)格-KIA半導體專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)定制-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-03-21
文中主要講國產(chǎn)快恢復二極管??旎謴投O管(簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復時(shí)間短特點(diǎn)的半導體二極管,主要應用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同,它屬于PIN結型二極管,即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I,構成PIN硅片。因基區很薄,反向恢復電荷很小,所以快恢復二極管的反向恢復時(shí)間較短,正向壓降較低,反向擊穿電壓(耐壓值)較高。
采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復二極管,有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽(yáng)和共陰。
應用拓撲結構:
國產(chǎn)快恢復二極管,深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來(lái)自韓國(臺灣)超一流團隊,可以快速根據客戶(hù)應用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設計方案,同時(shí)引進(jìn)多臺國外先進(jìn)設備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數檢測、雪崩能量檢測、可靠性實(shí)驗、系統分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項,并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項,并掌握多項場(chǎng)效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無(wú)人機、充電樁、這類(lèi)新興能源,也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專(zhuān)注于產(chǎn)品的精細化與革新,力求為客戶(hù)提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流,KIA半導體真正實(shí)現了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細節全到位的品牌內涵,我們致力于成為場(chǎng)效應管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個(gè)目標,KIA半導體正在持續創(chuàng )新,永不止步!
1、KIA設計生產(chǎn)的FRD(快速恢復二極管/模塊),采用外延片生產(chǎn)
2、高反耐壓
3、恢復速度快
4、低正向壓降
5、一致性高等特點(diǎn)
設計電流跨度1A-150A,電壓跨度200V-1700V,根據客戶(hù)需要,我們可以靈活調整電流、耐壓、恢復速度等數據,提供客戶(hù)高可靠性產(chǎn)品。
國產(chǎn)快恢復二極管選型表與封裝如下表:
Part Numbe |
IF(A) |
VRM(V) |
VF@IF(V) |
TRR(note1)(nS) |
Package |
KIA04TB60 |
4 |
600 |
1.3 |
35 |
TO-220、252 |
KIA05TB40 |
5 |
400 |
1.3 |
50 |
TO-252 |
KIA05TB60 |
5 |
600 |
1.3 |
35 |
TO-220、252 |
KIA06TB60D |
6 |
600 |
1.65 |
25 |
TO-252 |
KIA08TB60B |
8 |
600 |
2.2 |
30 |
TO-220、252 263 |
KIA08TB70D |
8 |
700 |
1.7 |
25 |
TO-220、252 263 |
KIA10TB60 |
10 |
600 |
1.4 |
30 |
TO-220 |
KIA15TB60 |
15 |
600 |
1.3 |
30 |
TO-220 |
1)有些單管,共三個(gè)引腳,中間的為空腳,一般在出廠(chǎng)時(shí)剪掉,但也有不剪的。
2)若對管中有一只管子損壞,則可作為單管使用。
3)測正向導通壓降時(shí),必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測試電流太小,遠低于管子的正常工作電流,故測出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測量,正向電阻就等于2.2kΩ,此時(shí)n′=9格。由此計算出的VF值僅0.27V,遠低于正常值(0.6V)。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助