半導體器件超結MOSFET
信息來(lái)源：本站 日期：2017-04-17
通過(guò)調整深槽結構的寬度等各種參數，終極得到終端結的擊穿電壓為740伏特。
使用場(chǎng)板的IGBT的終端結構，通過(guò)調整場(chǎng)板的長(cháng)度以及氧化層厚度以進(jìn)步終端結構的擊穿電壓，最后利用TCAD軟件對設計的終端結構進(jìn)行模擬仿真優(yōu)化設計的結果，使得該終端結構達到了1200伏的擊穿電壓。同時(shí)，采用深槽結構的終端結在進(jìn)步的擊穿電壓的基礎上也大大節約了芯片的面積。
?；诔Y概念的超結MOSFET用采用交替的高摻雜N柱和P柱代替了傳統高阻的n型漂移區，打破了傳統意義上擊穿電壓對導通電阻的強烈制衡（Ron∝
VB2.5），使兩者之間幾乎呈現線(xiàn)性的關(guān)系，從而實(shí)現了傳統MOSFET的低開(kāi)關(guān)損耗以及IGBT的低通態(tài)損耗兩者的兼容。場(chǎng)板技術(shù)因其與IGBT工藝兼容而受到廣泛使用，而且與其它結構比擬，使用場(chǎng)板結構較為簡(jiǎn)樸且易于控制。帶保護環(huán)的深槽(Deep
Oxide Trench，DOT)結構與場(chǎng)板(Field
Plate)技術(shù)相結合的設計得到匹配超結MOSFET的終端結結構，深槽中填充二氧化硅作為介質(zhì)使之與硅工藝完全兼容。由于這些特點(diǎn)，IGBT被廣泛應用于大功率、高壓電路中，擊穿電壓是IGBT的一個(gè)重要參數指標。
半導體功率器件被廣泛應用于汽車(chē)電子，網(wǎng)絡(luò )通訊等各大領(lǐng)域，目前最具代表性的兩種功率器件即為絕緣柵MOS管場(chǎng)效應晶體管(IGBT)和超結MOSFET(Super-junctionMOSFET)，它們通常作為開(kāi)關(guān)器件運用在功率電路中。
IGBT器件集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的長(cháng)處于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)樸和工作頻率高等長(cháng)處。作為進(jìn)步IGBT擊穿電壓的有效手段—高壓終端結構，其研究一直受到人們的正視。
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