MOSFET驅動(dòng)方式
信息來(lái)源：本站 日期：2017-04-10
MOSFET驅動(dòng)方式：
驅動(dòng)方式是對簡(jiǎn)易方式的一種初步改進(jìn),它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開(kāi)通速度。驅動(dòng)方式可進(jìn)一步改善驅動(dòng)性能,不但關(guān)斷時(shí)間可以進(jìn)一步縮短,開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的差別也通過(guò)互補電路而消除。同時(shí),在這種驅動(dòng)方式中的兩個(gè)外接晶體管起著(zhù)射極跟隨器的作用,因而功率MOSFET永遠不會(huì )被驅動(dòng)到飽和區。由于互補方式增加了驅動(dòng)功率,這種方式更適合于大功率MOSFET的驅動(dòng)。
而這種方式可以產(chǎn)生足夠高的柵壓使器件充分導通,并保證較高的關(guān)斷速度。由于外接負載電阻RL須有一定大小,以限制TTL的低電平輸出晶體管的功率耗散,因而這種驅動(dòng)方式的開(kāi)通速度不夠高。不過(guò),對感性負載的開(kāi)關(guān)電路來(lái)說(shuō),出于對動(dòng)態(tài)損耗的考慮,關(guān)斷速度的重要性就是要強一些。
MOSFET注意要點(diǎn)：
驅動(dòng)電路的有關(guān)問(wèn)題MOSFET管工作在高頻時(shí),為了防止振蕩,有兩點(diǎn)必須注意:第一,盡可能減少MOSFET各端點(diǎn)的連接線(xiàn)長(cháng)度,特別是柵極引線(xiàn),如果無(wú)法使引線(xiàn)縮短,則可按圖1所示,靠近柵極處串聯(lián)一個(gè)小電阻以便控制寄生振蕩;第二,由于MOSFET的輸入阻抗高,驅動(dòng)電源的阻抗必須比較低,以避免正反饋所引起的振蕩,特別是MOSFET的直流輸入阻抗非常高,但它的交流輸入阻抗是隨頻率而改變的,因此MOSFET的驅動(dòng)波形的上升和下降時(shí)間與驅動(dòng)脈沖發(fā)生器阻抗有關(guān)。另外,MOSFET的柵—源極間的硅氧化層的耐壓。
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