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場(chǎng)效應管-場(chǎng)效應管工作原理視頻詳解 秒懂系列-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-10-08 

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場(chǎng)效應管工作原理

場(chǎng)效應管工作原理用一句話(huà)說(shuō),就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說(shuō),ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域,表示的過(guò)渡層的擴展因為不很大,根據漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng),源極區域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門(mén)極向漏極擴展的過(guò)度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷。這意味著(zhù)過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。

在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng),在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng),實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近,由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上,將電子拉向漂移方向的電場(chǎng),只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

MOS場(chǎng)效應管電源開(kāi)關(guān)電路

MOS場(chǎng)效應管也被稱(chēng)為金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場(chǎng)效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場(chǎng)效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場(chǎng)效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場(chǎng)效應管的輸出電流是由輸入的電壓(或稱(chēng)電場(chǎng))控制,可以認為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時(shí)這也是我們稱(chēng)之為場(chǎng)效應管的原因。

在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負極)時(shí),二極管導通,其PN結有電流通過(guò)。這是因為在P型半導體端為正電壓時(shí),N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端,而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動(dòng),從而形成導通電流。同理,當二極管加上反向電壓(P端接負極,N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導體端為負電壓,正電子被聚集在P型半導體端,負電子則聚集在N型半導體端,電子不移動(dòng),其PN結沒(méi)有電流通過(guò),二極管截止。在柵極沒(méi)有電壓時(shí),由前面分析可知,在源極與漏極之間不會(huì )有電流流過(guò),此時(shí)場(chǎng)效應管處與截止狀態(tài)(圖7a)。當有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應管柵極上時(shí),由于電場(chǎng)的作用,此時(shí)N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來(lái)而涌向柵極,但由于氧化膜的阻擋,使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導體,從而形成電流,使源極和漏極之間導通??梢韵胂駷閮蓚€(gè)N型半導體之間為一條溝,柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁,該橋的大小由柵壓的大小決定。

C-MOS場(chǎng)效應管(增強型MOS場(chǎng)效應管)

電路將一個(gè)增強型P溝道MOS場(chǎng)效應管和一個(gè)增強型N溝道MOS場(chǎng)效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時(shí),P溝道MOS場(chǎng)效應管導通,輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時(shí),N溝道MOS場(chǎng)效應管導通,輸出端與電源地接通。在該電路中,P溝道MOS場(chǎng)效應管和N溝道MOS場(chǎng)效應管總是在相反的狀態(tài)下工作,其相位輸入端和輸出端相反。通過(guò)這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時(shí)由于漏電流的影響,使得柵壓在還沒(méi)有到0V,通常在柵極電壓小于1到2V時(shí),MOS場(chǎng)效應管既被關(guān)斷。不同場(chǎng)效應管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此,使得該電路不會(huì )因為兩管同時(shí)導通而造成電源短路。

場(chǎng)效應管工作原理視頻



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