irf630場(chǎng)效應管參數規格書(shū)-原裝正品場(chǎng)效應管 價(jià)格詳情-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-02-21
IR的第五代HEXFET功率場(chǎng)效應管IRF630采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導通阻抗。IRF630這種特性，加上快速的轉換速率，和以堅固耐用著(zhù)稱(chēng)的HEXFET設計，使得IRF630成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF630得到業(yè)內的普遍認可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝，比起現有的任何其他貼片封裝，可說(shuō)是功率最高，導通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版，適合較低端的應用。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
貼片安裝（IRF630NS）
低端通孔安裝（IRF630NL）
動(dòng)態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉換速率
輕松并行
僅需簡(jiǎn)單驅動(dòng)
無(wú)鉛環(huán)保
漏極電流, Id 最大值：9A
電壓, Vds 最大：200V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on)：0.4ohm
電壓 @ Rds測量：10V
電壓, Vgs 最高：3V
功率, Pd：100W
封裝類(lèi)型, 替代：SOT-78B
引腳節距：2.54mm
時(shí)間, trr 典型值：170ns
晶體管數：1
晶體管類(lèi)型：MOSFET
滿(mǎn)功率溫度：25°C
電容值, Ciss 典型值：540pF
電流, Idm 脈沖：36A
表面安裝器件：通孔安裝
針腳格式：1G 2+插口 D 3S
閾值電壓, Vgs th 最低：2V
閾值電壓, Vgs th 最高：4V
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
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