大電流場(chǎng)效應管型號

場(chǎng)效應管簡(jiǎn)介

在了解大電流場(chǎng)效應管型號之前，我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應管知識，它主要有兩種類(lèi)型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場(chǎng)效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn)，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場(chǎng)效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。

大電流場(chǎng)效應管的作用

1.場(chǎng)效應管可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

大電流場(chǎng)效應管應用

1、交流/直流電源的同步整流

2、直流電機驅動(dòng)

3、逆變器

4、電池充電器和電池保護電路

5、36V-96V系統中的馬達控制

6、隔離的直流-直流轉換器

7、不間斷電源

大電流場(chǎng)效應管型號

以下為KIA半導體大電流場(chǎng)效應管型號（部分），需咨詢(xún)更多型號請聯(lián)系我們,我們將竭誠為您服務(wù)！

KIA半導體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

KIA半導體也執行的全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設計開(kāi)始，一直貫徹到客戶(hù)使用的全過(guò)程質(zhì)量跟蹤和監控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶(hù)的產(chǎn)品是安全可靠的。

大電流場(chǎng)效應管擴展知識

由于功率MOSFET熱穩定性好，故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單?？墒遣⒙?lián)連接MOSFET用于高速開(kāi)關(guān)則末必簡(jiǎn)單，從現象看并聯(lián)連接會(huì )發(fā)生以下兩個(gè)問(wèn)題：

1） 電流會(huì )集中某一個(gè)器件中。

2 ） 寄生振蕩。

并聯(lián)連接方面的問(wèn)題

參數

Lo：柵、導線(xiàn)電感

LD：漏、導線(xiàn)電感

LS：源、導線(xiàn)電感

Cmi：密勒電容

CGS：柵、源間電源

ra：柵、電阻（多晶硅）

（1）電流會(huì )集到某一個(gè)器件中

這是由于并聯(lián)連接的器件中的某一個(gè)器件早于或遲于其它器件導通或斷開(kāi)而引起的。導通、斷開(kāi)的時(shí)刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導納等參數的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并聯(lián)銜接時(shí)發(fā)生電流不平衡的一個(gè)比如。

驅動(dòng)級的輸出阻抗大的時(shí)候，電流不平衡的發(fā)生時(shí)刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外，并聯(lián)連接的全部器件導通之后，流到各器件的電流與Rds（on）成反比 。

( 2 ） 寄生振蕩

如把功率MOSFET的柵極直接并聯(lián)銜接，就常常發(fā)生寄生振蕩。如圖2所示，經(jīng)過(guò)各個(gè)器件的漏、柵間電容（ 密勒電容 ）和柵極引線(xiàn)電感構成諧振電路 。關(guān)于這個(gè)諧振電路的Q，也即電抗器 （ L 、C ） 對電阻之比 （Q = i∞/ R ） 非常大，簡(jiǎn)單發(fā)生寄生振蕩。

從以下兩個(gè)方面采取辦法 ：

1)器材的挑選

2)裝置上的考慮

并聯(lián)連接及辦法

( 1） 把功率MOSFET用作開(kāi)關(guān)器件時(shí)，無(wú)須過(guò)于慎重考慮，由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍，只需極力縮小驅動(dòng)級的輸出阻抗就行．把功率MOSFET用在線(xiàn)性電路時(shí)，只挑選同一批產(chǎn)品是不行的 ，與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的．

( 2 ）裝置辦法

選用低電感布線(xiàn)是當然的，但在并聯(lián)連接中僅用銅板是不行的 ，由于因公共阻擾發(fā)生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡，為了防止這點(diǎn)，并聯(lián)連接的各個(gè)器件應是徹底持平的布線(xiàn)，應如圖3那樣用對稱(chēng)的布線(xiàn) ，但因裝置上的約束，不行能用對稱(chēng)布錢(qián)時(shí)，這時(shí)同軸的（多股絞合線(xiàn)、帶狀線(xiàn) ） 布線(xiàn)也是很有用的。如圖4那樣，經(jīng)過(guò)薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線(xiàn)。

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