肖特基勢壘與歐姆接觸-模型理解:我們知道,N型半導體與P型半導體接觸會(huì )因為載...肖特基勢壘與歐姆接觸-模型理解:我們知道,N型半導體與P型半導體接觸會(huì )因為載流子的擴散形成耗盡區,從而形成PN節。當金屬與半導體接觸時(shí)會(huì )怎樣呢?其中一種情況...
5N50MOS管 500V5A參數-產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS 低導...5N50MOS管 500V5A參數-產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS 低導通電阻 低柵電荷 5N50MOS管 500V5A參數-產(chǎn)品應用領(lǐng)域 1、適配器 2、充電器 3、...
SOA失效是指電源在運行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,造成瞬時(shí)局...SOA失效是指電源在運行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達到熱平衡導致熱積累,...
MOS管雪崩電流解析:雪崩電流在MOS管的數據表中表示為IAV,雪崩能量代表功率MO...MOS管雪崩電流解析:雪崩電流在MOS管的數據表中表示為IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗過(guò)壓沖擊的能力。在調試過(guò)程中,選取一定的電感值,然后將電流增大,也就是功率...
trr是指快恢復二極管的反向恢復時(shí)間,二極管在正向導通到反向阻斷過(guò)程中,會(huì )反...trr是指快恢復二極管的反向恢復時(shí)間,二極管在正向導通到反向阻斷過(guò)程中,會(huì )反向流過(guò)電流,內部載流子復合需要的時(shí)間就是trr。它的定義是:電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉換...
MOS管500V9A,KIA4750規格參數-1、KIA4750產(chǎn)品特征,符合RoHS,RDS(on) = 0.7Ω...MOS管500V9A,KIA4750規格參數-1、KIA4750產(chǎn)品特征,符合RoHS,RDS(on) = 0.7Ω@VGS = 10 V,低柵電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗,快速恢復體二極管。 2、KIA4750適用范圍,...