KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數同步BUCK變換器...KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數同步BUCK變換器的應用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿(mǎn)足RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%的EAS保...
1、KIA2404A產(chǎn)品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設計...1、KIA2404A產(chǎn)品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設計 超低電阻 100%雪崩測試 無(wú)鉛和綠色設備可用(符合RoHS標準)
40V150A參數規格 KIA2804N產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電...40V150A參數規格 KIA2804N產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電池設計 3、超低導通電阻 4、快恢復體二極管 5、無(wú)鉛和綠色設備(符合RoHS)
30V85AMOS管 KNX3403A產(chǎn)品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無(wú)鉛綠色設備 降低導...30V85AMOS管 KNX3403A產(chǎn)品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無(wú)鉛綠色設備 降低導電損耗 高雪崩電流
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在...晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓...
場(chǎng)效應管可分為結型場(chǎng)效應管(簡(jiǎn)稱(chēng)JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應管(簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管或MOSFET...場(chǎng)效應管可分為結型場(chǎng)效應管(簡(jiǎn)稱(chēng)JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應管(簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管或MOSFET)兩種。每種又可分為N溝道和P溝道兩類(lèi),N溝道和P溝道場(chǎng)效應管工作原理相同,只是工...