中國半導(dǎo)體器件型號命名方法 一、 半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)...中國半導(dǎo)體器件型號命名方法 一、 半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個...
SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力...SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強,在熱、化學(xué)、機械方面都非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體(多晶型體),它們的物...
KIA20N50H 500V20A規(guī)格書 參數(shù)? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專...KIA20N50H 500V20A規(guī)格書 參數(shù)? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高功率MOSFET設(shè)計的電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源等。有源功率因數(shù)校...
下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一:一反激電源實測Ids電流時前端有...下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一:一反激電源實測Ids電流時前端有一個尖峰(如下圖紅色圓圈里的尖峰圖),這個尖峰到底是什么原因引起的?怎么來消除或者...
MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設(shè)...MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設(shè)計的。電壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效開關(guān)電源,功率因數(shù)校正。
KIA品牌MOS管KNX6650A增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設(shè)計的。高速功率開關(guān)應(yīng)用,...KIA品牌MOS管KNX6650A增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設(shè)計的。高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源,開關(guān)電源等。基于半橋拓撲的功率因數(shù)校正電子燈鎮(zhèn)流器。