具有L,C元素的電路由于其頻率特性(如頻率Vs電流,電壓和阻抗)而具有特殊的特...具有L,C元素的電路由于其頻率特性(如頻率Vs電流,電壓和阻抗)而具有特殊的特性。這些特性在特定頻率下可能具有明顯的最小值或最大值。這些電路的應(yīng)用主要涉及發(fā)...
電池測試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測試等測試和測量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出...電池測試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測試等測試和測量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化為±5°C時,設(shè)備的電流和電壓控制精度需要優(yōu)于滿量程的±...
也許極低阻值的電阻器(即mΩ級及以下)最常見的應(yīng)用是電流控制電路,因?yàn)槠涞?..也許極低阻值的電阻器(即mΩ級及以下)最常見的應(yīng)用是電流控制電路,因?yàn)槠涞妥柚悼山档凸β蕮p耗。對于這類應(yīng)用,大約10%-20%的容差就足夠了。但即使在這樣的容差...
電路工作流程如下: A、 Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8.9V左右,...電路工作流程如下: A、 Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8.9V左右,7805工作,輸出5V電壓給單片機(jī)供電。 B、單片機(jī)工作后,將最先進(jìn)行IO口初始化,IO1...
氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新...氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計出額定功率高達(dá)...
在許多中低功率應(yīng)用中,低側(cè)(接地參考)MOSFET由PWM控制IC的輸出引腳驅(qū)動,以...在許多中低功率應(yīng)用中,低側(cè)(接地參考)MOSFET由PWM控制IC的輸出引腳驅(qū)動,以切換感性負(fù)載。如果PWM輸出電路可以以可接受的開關(guān)時間驅(qū)動MOSFET而不會耗散過多功率...