IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎(chǔ)上,將硅片通過機(jī)械減...IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎(chǔ)上,將硅片通過機(jī)械減薄或特殊減薄工藝(如Taiko、Temporary Bonding 技術(shù))進(jìn)行減薄處理,然后對減薄硅...
亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關(guān)斷狀態(tài)之間相互轉(zhuǎn)換速率的性能指標(biāo),它代表源漏...亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關(guān)斷狀態(tài)之間相互轉(zhuǎn)換速率的性能指標(biāo),它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量,又稱為S因子,S越小意味著開啟關(guān)斷速率ON/OFF越...
一般使用的按鍵原理圖如下圖所示,由按鍵、上拉電阻和消抖濾波電容組成。按鍵斷...一般使用的按鍵原理圖如下圖所示,由按鍵、上拉電阻和消抖濾波電容組成。按鍵斷開時(shí)KeyIin1處電壓被上拉到+5V,當(dāng)按鍵閉合時(shí)把KeyIin1電壓拉到0V,與按鍵并聯(lián)的電...
KIA5N50H 5A500V MOS管是一種高壓、低內(nèi)阻、低開關(guān)損耗的MOS管,適用于各種高功...KIA5N50H 5A500V MOS管是一種高壓、低內(nèi)阻、低開關(guān)損耗的MOS管,適用于各種高功率應(yīng)用場合,如無刷電機(jī)、安定器等。
為了防止電壓源逆變器的上下開關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通,故在開關(guān)管的切換時(shí)存在一段上下橋...為了防止電壓源逆變器的上下開關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通,故在開關(guān)管的切換時(shí)存在一段上下橋臂均關(guān)閉的時(shí)間,稱之為死區(qū)時(shí)間。當(dāng)上下開關(guān)管都關(guān)斷時(shí),電流并不會截?cái)啵峭ㄟ^...
新型儲能產(chǎn)業(yè)鏈上游為原材料及核心部件,其核心部件一般包括電池組、儲能逆變器...新型儲能產(chǎn)業(yè)鏈上游為原材料及核心部件,其核心部件一般包括電池組、儲能逆變器(PCS)、能量管理系統(tǒng)(EMS)、電池管理系統(tǒng)(BMS)四大部分;中游為系統(tǒng)集成商和安裝...