irfp3206場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流最大為200A;RDS(on)(典型值)=...irfp3206場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V,漏極電流最大為200A;RDS(on)(典型值)=2.4mΩ@Vgs=10V。60v 200a場效應(yīng)管irfp3206型號(hào)適合應(yīng)用于:開關(guān)電源中的高效同步整...
ncep15t14場效應(yīng)管VDS =150V,ID =140A,RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V,能夠使用...ncep15t14場效應(yīng)管VDS =150V,ID =140A,RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V,能夠使用KIA半導(dǎo)體的KNX2915A型號(hào)替代,KNX2915A漏源擊穿電壓150V,漏極電流最大為130A;RDS...
KIA2906A漏源擊穿電壓60V,漏極電流最大為130A;RDS(on)(典型值)=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源擊穿電壓60V,漏極電流最大為130A;RDS(on)(典型值)=5.5mΩ@Vgs=10V,具有低電荷最小化開關(guān)損耗,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),KIA2906A能夠完美匹配hy1906...
KIA50N03A場效應(yīng)管是采用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制造,具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開...KIA50N03A場效應(yīng)管是采用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制造,具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能、極高的雪崩擊穿耐量,可最大限度地減少導(dǎo)通損耗,卓越高效。KIA50N03A可完...
MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式:SOT-23,?可替...MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式:SOT-23,?可替代SI2300以及NCP1117?,KIA2300具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能、可最大限度地...
KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=1...KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V,封裝形式:TO-252,能夠匹配代換svt035r5nd和nce03h11k型號(hào)參數(shù)場效應(yīng)管。