低內(nèi)阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V,漏極電流為50A,RDS(on) =10.5m@ VGS =1...低內(nèi)阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V,漏極電流為50A,RDS(on) =10.5m@ VGS =10V;具有低Rds開啟,可將傳導損耗降至最低、高雪崩電流等特點;KIA50n06可以代換SQD...
低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V,漏極電流為25A,RDS(on) =25mΩ@ V...低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V,漏極電流為25A,RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V;先進的高密度溝槽技術制造,封裝形式:TO-251/252。KIA30N06B3場效應管可以...
KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為90A,RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V;...KIA100N03場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為90A,RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V;KIA100N03場效應管非常適合應用于小功率LED、鋰電池保護板等產(chǎn)品領域,KIA100N03場效...
KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V,漏極電流為-7.5A;采用先進的高密度溝槽技...KIA7P03A場效應管漏源擊穿電壓-30V,漏極電流為-7.5A;采用先進的高密度溝槽技術,具有超低柵電荷、優(yōu)良的CDV / dt效應遞減等;封裝形式:SOP-8。KIA7P03A場效應管...
2306場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為3.5A;極低RDS(on)的高密度單元設計...2306場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為3.5A;極低RDS(on)的高密度單元設計、無鉛產(chǎn)品、堅固可靠;封裝形式:SOT-23。2306場效應管非常適合應用于LED感應燈、...
3415場效應管漏源擊穿電壓-16V,漏極電流為-4A;極低RDS(on)的高密度單元設計...3415場效應管漏源擊穿電壓-16V,漏極電流為-4A;極低RDS(on)的高密度單元設計、無鉛產(chǎn)品、堅固可靠;封裝形式:SOT-23。3415場效應管非常適合使用于蘋果充電頭、...