KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET,先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓...KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET,先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓100V,漏極電流12A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10v,具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)...
KPD8610A是一款P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓-100V,漏...KPD8610A是一款P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V,具有超低柵電荷、優(yōu)異的cdv/dt效應(yīng)降低等...
NCE01P30K代換場(chǎng)效應(yīng)管KIA35P10A是一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用MOS管,采用先進(jìn)的溝槽MOSF...NCE01P30K代換場(chǎng)效應(yīng)管KIA35P10A是一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用MOS管,采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù),提供出色的RDS(ON)和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35...
nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流為-23A,RDS(...nce01p18k參數(shù)代換KIA23P10A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流為-23A,RDS(ON)=78mΩ(典型值)@ VGS=10v;KIA23P10A采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù),提供出色的R...
NCE80H16代換KIA2808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為150A,RDS(ON)=4....NCE80H16代換KIA2808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為150A,RDS(ON)=4.0mΩ(典型值)@ VGS=10v;KIA2808A場(chǎng)效應(yīng)管具有100%雪崩測(cè)試,無(wú)鉛和綠色設(shè)備可用(...
ru6888r場(chǎng)效應(yīng)管代換KNX3508A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為70A,RDS(O...ru6888r場(chǎng)效應(yīng)管代換KNX3508A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流為70A,RDS(ON)=7.5mΩ(典型值)@ VGS=10v;KNX3508A 80V 70A場(chǎng)效應(yīng)管具有100%雪崩測(cè)試,可靠、...