KIA6720N場效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流18A,RDS(ON)=0.12Ω@VGS=10V;...KIA6720N場效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流18A,RDS(ON)=0.12Ω@VGS=10V;KIA6720N可以代換IRF640型號使用,封裝形式:TO-220,低熱阻和低成本,便于安裝和使...
KIA4820N場效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流9A,RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V;K...KIA4820N場效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流9A,RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V;KIA4820N可以代換irf630型號使用,封裝形式:TO-220、TO-252便于安裝和使用,高效穩(wěn)定...
KNX7115A場效應管漏源擊穿電壓150V,漏極電流20A,RDS(on)=77mΩ@VGS=10V;KNX...KNX7115A場效應管漏源擊穿電壓150V,漏極電流20A,RDS(on)=77mΩ@VGS=10V;KNX7115A能夠代換aod4454型號,在LED驅動等領域熱銷,封裝形式:TO-252、TO-251。
KIA4810A場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流9A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V;KI...KIA4810A場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流9A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V;KIA4810A場效應管100V 9A能夠代換AON6450型號,這種通用技術非常適合無線充、無人機方...
KIA4610A是采用先進的高單元密度溝槽式N溝MOSFET,漏源擊穿電壓100V,漏極電流...KIA4610A是采用先進的高單元密度溝槽式N溝MOSFET,漏源擊穿電壓100V,漏極電流7.5A,RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V,以低柵極電荷提供出色的RDS(ON),降低開關損耗、...
KIA3510A漏源擊穿電壓100V,漏極電流75A,RDS(打開)=14mΩ(max)@VGS=10V,...KIA3510A漏源擊穿電壓100V,漏極電流75A,RDS(打開)=14mΩ(max)@VGS=10V,具有低柵極-漏極電荷可降低開關損耗、100%雪崩測試、可靠且堅固、提供無鉛和綠色設備...