半導(dǎo)體材料 一、半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體單晶 硅單晶 鍺單晶 化合物單晶 2...半導(dǎo)體材料 一、半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體單晶 硅單晶 鍺單晶 化合物單晶 2.半導(dǎo)體片材 其他半導(dǎo)體片材 半導(dǎo)體外延片 半導(dǎo)體拋光片 半導(dǎo)體封裝材料
跟著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技...跟著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技術(shù)等很多領(lǐng)域緊密親密相關(guān)。開關(guān)電源在電源技術(shù)中據(jù)有重要地位,從20kHz發(fā)展到高不...
MOS又分為兩種,一種為耗盡型(DepletionMOS),另一種為增強型(EnhancementM...MOS又分為兩種,一種為耗盡型(DepletionMOS),另一種為增強型(EnhancementMOS)。 因為場效應(yīng)管拓展器的輸入阻抗很高,因而耦合電容能夠容量較小,不必運用電...
用測電阻法區(qū)分結(jié)型場效應(yīng)管的電極對VMOSV溝道增強型場效應(yīng)管丈量跨導(dǎo)性能時,...用測電阻法區(qū)分結(jié)型場效應(yīng)管的電極對VMOSV溝道增強型場效應(yīng)管丈量跨導(dǎo)性能時,可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就持平于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此...
Mosfet參數(shù)意義闡明 Features: Vds: DS擊穿電壓.當Vgs=0V時,MOS的DS所...Mosfet參數(shù)意義闡明 Features: Vds: DS擊穿電壓.當Vgs=0V時,MOS的DS所能承受的最大電壓 Rds(on):DS的導(dǎo)通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻 Id:...
P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大...P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之...