功率開關(guān)器件在電力電子設(shè)備中占領(lǐng)著中心位置,它的牢靠工作是整個安裝正常運轉(zhuǎn)...功率開關(guān)器件在電力電子設(shè)備中占領(lǐng)著中心位置,它的牢靠工作是整個安裝正常運轉(zhuǎn)的根本條件。功率開關(guān)器件的驅(qū)動電路是主電路與控制電路之間的接口,是電力電子安裝...
在CMOS中,阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde w...在CMOS中,阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).雙阱工藝有一些缺陷,如需高溫工藝(超越1 050℃)及長擴散時間(超越8h)來到...
為了構(gòu)成集成電路電阻,可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上,然后運用圖形曝...為了構(gòu)成集成電路電阻,可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上,然后運用圖形曝光技術(shù)和刻蝕定出其圖樣,也可以在生長于硅襯底上的熱氧化層上開窗,然后寫入(或是...
場效應(yīng)管|裝配和焊接操作時的注事項場效應(yīng)管|裝配和焊接操作時的注事項
場效應(yīng)管|半導(dǎo)體器件使用注意事項場效應(yīng)管|半導(dǎo)體器件使用注意事項
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