半導(dǎo)體:(室溫); 鍺:0.67eV 砷化鎵:1.43eV 氧化鋅:3.3 eV半導(dǎo)體:(室溫); 鍺:0.67eV 砷化鎵:1.43eV 氧化鋅:3.3 eV
場(chǎng)效應(yīng)管較三極管嬌弱,使用不當(dāng)很容易損壞,因此使用時(shí)應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)。 ...場(chǎng)效應(yīng)管較三極管嬌弱,使用不當(dāng)很容易損壞,因此使用時(shí)應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)。 ①應(yīng)根據(jù)不同的使用場(chǎng)合選用適當(dāng)型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管。常用mos場(chǎng)效應(yīng)管的主要用途...
(1)場(chǎng)效應(yīng)管的根本參數(shù) ①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF),是在耗盡型...(1)場(chǎng)效應(yīng)管的根本參數(shù) ①夾斷電壓UP 也稱截止柵壓UGS(OFF),是在耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管源極接地的狀況下,能使其漏源輸出電流減小到...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管,是—種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件,外形...場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管,是—種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件,外形如圖4-21所示。和普通雙極型晶體管相比擬,場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范...
Power MOSFET全稱為功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其電氣符號(hào)及根本接法...Power MOSFET全稱為功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其電氣符號(hào)及根本接法如圖3-25所示。 PowerMOSFET有三個(gè)極,即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。控制信號(hào)“...
場(chǎng)效應(yīng)管可分為兩類:一類足結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,另一類是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,也稱MOS...場(chǎng)效應(yīng)管可分為兩類:一類足結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,另一類是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,也稱MOS管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管依據(jù)其溝道所采用的半導(dǎo)體資料,又分為N溝道和P溝道兩種;絕緣柵型...