由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好,故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單。可是并聯(lián)連接MOSFE...由于功率MOSFET熱穩(wěn)定性好,故比雙極型晶體管并聯(lián)連接簡(jiǎn)單。可是并聯(lián)連接MOSFET用于高速開關(guān)則末必簡(jiǎn)單,從現(xiàn)象看并聯(lián)連接會(huì)發(fā)生以下兩個(gè)問題: 1) 電流會(huì)集中某...
鋰電池保護(hù)板主要由維護(hù)IC(過壓維護(hù))和MOS管(過流維護(hù))構(gòu)成,是用來保護(hù)鋰...鋰電池保護(hù)板主要由維護(hù)IC(過壓維護(hù))和MOS管(過流維護(hù))構(gòu)成,是用來保護(hù)鋰電池電芯安全的器材。鋰電池具有放電電流大、內(nèi)阻低、壽數(shù)長(zhǎng)、無回憶效應(yīng)等被人們廣...
在完結(jié)地圖規(guī)劃并經(jīng)工藝廠家流片后,能夠選用兩種辦法對(duì)芯片進(jìn)行功能、功能測(cè)驗(yàn)...在完結(jié)地圖規(guī)劃并經(jīng)工藝廠家流片后,能夠選用兩種辦法對(duì)芯片進(jìn)行功能、功能測(cè)驗(yàn):一種辦法是直接鍵合到PCB(印制電路板)上,另一種辦法是經(jīng)過封裝廠家進(jìn)行封裝后...
增強(qiáng)型NMOS管的工作原理 ? ?當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接(即NMOS管的柵/...增強(qiáng)型NMOS管的工作原理 ? ?當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接(即NMOS管的柵/源電壓VGS=O)時(shí),源區(qū)(N+型)、襯底(P型)和漏區(qū)(N+型)形成兩個(gè)背靠背的PN結(jié),不管...
(1)穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過程中,電流有逐漸增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層...(1)穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟,擊穿過程中,電流有逐漸增大的特征,這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬,發(fā)生電流較大。另一方面,耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應(yīng),使源襯底結(jié)正偏...
快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)在幾百納秒(ns)以下,超快恢...快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)在幾百納秒(ns)以下,超快恢復(fù)二極管以致能抵達(dá)幾十納秒。反向恢復(fù)時(shí)間(trr),它的定義是:電流經(jīng)過零點(diǎn)由正向...