KIA8N60場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V,漏極電流7.5A,使其在高壓環(huán)境下發(fā)揮穩(wěn)定而...KIA8N60場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V,漏極電流7.5A,使其在高壓環(huán)境下發(fā)揮穩(wěn)定而強(qiáng)大的作用,其RDS(開)值僅為0.98?,在輸入電壓為10V時表現(xiàn)突出,具有良好的導(dǎo)通...
KIA7N60H場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V,漏極電流7A,能夠在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色;R...KIA7N60H場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V,漏極電流7A,能夠在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色;RDS(打開)=1.0? @ VGS=10V,具有較低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功耗和提高效率;能...
KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的RDS(導(dǎo)通)和低柵極電荷。該器件適用于...KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供出色的RDS(導(dǎo)通)和低柵極電荷。該器件適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3409不含鉛(符合ROHS和Sony 259規(guī)范)。 VDS(V)=...
KND4560A場效應(yīng)管漏源電壓600V,漏極電流6A,RDS(ON)為1.4Ω(在VGS=10V時的...KND4560A場效應(yīng)管漏源電壓600V,漏極電流6A,RDS(ON)為1.4Ω(在VGS=10V時的典型值);具有TO-251、252封裝形式可供選擇,方便安裝使用。KND4560A能夠替代士蘭微...
KIA4N60H場效應(yīng)管漏源電壓600V,漏極電流4A,RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V;具備低...KIA4N60H場效應(yīng)管漏源電壓600V,漏極電流4A,RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V;具備低柵極電荷(典型值為13.5nC)最小化開關(guān)損耗,高堅固性,快速切換能力,指定雪崩能量...
KNH8150A場效應(yīng)管采用高級平面工藝,漏源電壓500V,漏極電流30A,RDS(ON)=15...KNH8150A場效應(yīng)管采用高級平面工藝,漏源電壓500V,漏極電流30A,RDS(ON)=150mΩ(典型值)@VGS=10V;具備低柵極電荷最小化開關(guān)損耗,能夠穩(wěn)定可靠地工作,加固...