對(duì)MOS失效的原因分析,對(duì)1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析 1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們...對(duì)MOS失效的原因分析,對(duì)1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析 1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致...
KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726?,KIA100N03AD產(chǎn)品功率MOSFET采用起亞`平面...KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726?,KIA100N03AD產(chǎn)品功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力,提供優(yōu)...
KND8103A可替代L7805CV1,本文將會(huì)有KNX8103A和L7805CV1兩個(gè)型號(hào)的產(chǎn)品附件,K...KND8103A可替代L7805CV1,本文將會(huì)有KNX8103A和L7805CV1兩個(gè)型號(hào)的產(chǎn)品附件,KIA半導(dǎo)體10幾年一直走品質(zhì)追求,也一直力爭(zhēng)將質(zhì)量做好最精致完美。KAI半導(dǎo)體雪崩沖擊...
場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因: 1、電路設(shè)計(jì)的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀...場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱嚴(yán)重的原因: 1、電路設(shè)計(jì)的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān),G級(jí)電壓...
碳化硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導(dǎo)體硅接觸的二極管,由于它的這...碳化硅肖特基二極管早已有之。它是一種金屬與半導(dǎo)體硅接觸的二極管,由于它的這種特殊結(jié)構(gòu),使其具有如下不同尋常的特性: 碳化硅肖特基二極管比PN結(jié)器件的行為特...
ccd傳感器和cmos區(qū)別,電荷耦合器件圖像傳感器CCD(Charge Coupled Device),...ccd傳感器和cmos區(qū)別,電荷耦合器件圖像傳感器CCD(Charge Coupled Device),它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成,能把光線轉(zhuǎn)變成電荷,通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片轉(zhuǎn)換...