MOS管HY3208A主要參數(shù) 1、電流:120A 2、電壓:80VA 3、 6毫歐 MOS管KNB32...MOS管HY3208A主要參數(shù) 1、電流:120A 2、電壓:80VA 3、 6毫歐 MOS管KNB3208A產(chǎn)品特征描述 1、專有新溝槽技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=6.5mΩ@VGS=10V 3、低門電...
600V快恢復(fù)二極管,快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)...600V快恢復(fù)二極管,快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,...
近來, 半橋諧振拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仁艿綇V大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞,但是...近來, 半橋諧振拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仁艿綇V大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞,但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)洹L貏e是在電源啟機(jī),...
晶體管和mos管區(qū)別 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconducto...晶體管和mos管區(qū)別 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是...
FDP51N25產(chǎn)品特點(diǎn): 1、51A,250V,RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極...FDP51N25產(chǎn)品特點(diǎn): 1、51A,250V,RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極電荷(典型的55nC) 3、低Crss(典型的63PF) 4、快速切換 5、100%雪崩試驗(yàn) 6、...
mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路詳解:現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路,有幾個(gè)特別的需求: 1,低壓應(yīng)...mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路詳解:現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路,有幾個(gè)特別的需求: 1,低壓應(yīng)用,當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓...