場效應(yīng)管irf3205這種特性,加上快速的轉(zhuǎn)換速率,和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì)...場效應(yīng)管irf3205這種特性,加上快速的轉(zhuǎn)換速率,和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì),使得場效應(yīng)管irf3205成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。TO-220封裝的場效應(yīng)管...
小功率場效應(yīng)管,小功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxi...小功率場效應(yīng)管,小功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)...
逆變器13N50產(chǎn)品,KIA13N50 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率...逆變器13N50產(chǎn)品,KIA13N50 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。
KNX3306A產(chǎn)品主要參數(shù) 產(chǎn)品型號:KNX3306A 工作方式:80A/60V 漏源極電壓:6...KNX3306A產(chǎn)品主要參數(shù) 產(chǎn)品型號:KNX3306A 工作方式:80A/60V 漏源極電壓:60V 柵源電壓;±25V 雪崩能量:462.25MJ 接頭和儲存溫度范圍 :-55℃至+175℃
igbt工作原理及接線圖,?我們先了解一下igbt是什么??IGBT是Insulated Gate ...igbt工作原理及接線圖,?我們先了解一下igbt是什么??IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)...
KIA50N06BP產(chǎn)品特點(diǎn): 1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色裝置 3、降低...KIA50N06BP產(chǎn)品特點(diǎn): 1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色裝置 3、降低導(dǎo)電損耗 4、高雪崩電流